[發(fā)明專利]銅互連層的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110457446.3 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187361A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張海洋;周俊卿;王冬江 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互連 制造 方法 | ||
1.一種銅互連層的制造方法，包括
提供基底，所述基底上形成有銅互連通槽；
在所述銅互連通槽內(nèi)以及所述基底上形成銅互連層；
在所述銅互連層上形成應力層；
進行熱退火工藝，以對所述銅互連層進行修復；
去除所述應力層及所述基底上的銅互連層。
2.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述應力層為氮化鈦、氮化鉭、鉭或鈦中的一種或其組合。
3.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述應力層采用化學氣相沉積或物理氣相沉積法形成。
4.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述應力層的厚度為10nm～150nm。
5.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，在進行熱退火工藝中，熱退火溫度為200℃～600℃。
6.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，采用濕法刻蝕或干法刻蝕去除應力層，采用化學機械研磨法去除基底上的銅互連層。
7.如權利要求6所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕物質(zhì)包括氟化氫、硫酸和雙氧水。
8.如權利要求6所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕物質(zhì)包括甲烷、氦氣及氯氣。
9.如權利要求1所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，所述應力層和所述基底上的銅互連層均采用化學機械研磨法去除。
10.如權利要求1至9中任意一項所述的銅互連層的制造方法，其特征在于，在覆蓋銅互連層和應力層的步驟之間，還包括在所述銅互連層上形成阻擋層的步驟，所述阻擋層的材質(zhì)為鈦、鉭、氮化鈦或氮化鉭中的一種或其組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
