[發明專利]一種液晶顯示裝置的像素結構及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201110457250.4
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN103185992A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 顧寒昱;沈柏平;曾章和;崔萌
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/133
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明屬于液晶顯示領域，尤其涉及一種液晶顯示裝置的像素結構及液晶顯示裝置。

背景技術

信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設備，而當前最成熟的產品就是液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display，LCD)了。LCD通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供信號的電路部份。該液晶顯示面板通常包括第一基板和第二基板，它們通過封膠彼此粘接并由間隙隔開，而液晶材料填充在第一基板和第二基板之間的間隙中。

現在廣泛使用的液晶顯示模式包括扭曲向列型模式(Twist?Nematics，TN)、垂直配向型模式(Vertical?Alignment，VA)、平面內翻轉型模式(In?Plane?switching，IPS)和邊緣場開關模式(Fringe?Field?Switching，FFS)。其中，TN模式和VA模式中，第一基板上設置有像素電極，第二基板上設置有公共電極，公共電極和像素電極在第一基板和第二基板之間形成垂直的電場驅動液晶分子的轉動。FFS和IPS模式的液晶顯示裝置因其廣闊的視角越來越受到市場的青睞，在FFS和IPS模式中，像素電極和公共電極都設置在第一基板上，像素電極和公共電極形成平行于第一基板和第二基板的水平電場驅動液晶分子的轉動。

具體的，如圖1和圖2所示，現有的一種FFS型模式液晶顯示裝置包括：

玻璃底板1；

設置在所述玻璃底板1上的薄膜晶體管層2，所述薄膜晶體管層2內包括多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管對應著一個像素單元；

設置在所述薄膜晶體管層2表面上的第一絕緣層3；

公共電極層4設置在所述第一絕緣層3表面上；

在公共電極層4表面上覆蓋有第二絕緣層5；

像素電極6設置在所述第二絕緣層5表面上，在一個像素單元內，所述像素電極6為條狀的電極。如圖2所示，條狀的像素電極6之間露出位于下層的公共電極4，像素電極6和公共電極4之間可形成平行電場。

但是，在現有的IPS型或者FFS型液晶顯示裝置工作的時候，在像素單元的邊緣位置的顯示效果與預設的不同步，因為在公共電極4和像素電極6的邊緣處電場非常紊亂出現亂疇，會導致液晶分子的轉動方向和預期的不一致，因此在像素單元的邊緣位置會出現暗域，影響液晶顯示裝置的顯示效果。

圖3為現有技術中一FFS型液晶顯示裝置進行光電模擬的效果圖，所述模擬實驗的條件為像素電極的工作電壓為0～5V、公共電極的工作電壓為0V，結果如圖3所示，在像素單元的邊緣位置會出現暗域7。

進一步，所述暗域還會由像素單元的邊緣位置延伸到像素單元的內部區域，致使整個液晶顯示裝置的顯示效果降低。具體的，請參考圖4，圖4中曲線Y1示意出現有技術中的FFS型液晶顯示的電壓-穿透率曲線，其中橫軸為像素電極電壓和公共電極電壓的電壓差，縱軸為穿透率，從圖中可以看當像素電極和公共電極之間的電壓差增大到3.5V以后，隨著電壓差的進一步增加，穿透率隨之降低，當電壓差增加至5V時，穿透率降低了接近1％只有4％左右。所述穿透率的降低是因為電壓差的增大，暗域進一步延伸至像素單元的內部區域造成的。以上所述的缺陷嚴重影響了IPS型/FFS型液晶顯示裝置的顯示效果。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種液晶顯示裝置的像素結構及液晶顯示裝置，以解決現有的液晶顯示裝置工作的時候，在像素單元的邊緣位置出現紊亂的電場，導致像素單元的邊緣區域因不能正常顯示而出現暗域或者可稱之為亂疇，且所述暗域還會由像素單元的邊緣位置延伸到像素單元的內部區域，致使整個液晶顯示裝置的顯示效果進一步惡化。

該液晶顯示裝置采用IPS或FFS驅動模式，該液晶顯示裝置的像素結構，包括：

設置于陣列基板上的公共電極和像素電極；

基準電極，所述基準電極設置在所述像素電極的兩端并基本垂直于所述像素電極的延伸方向。

優選的，所述基準電極的工作電壓高于所述公共電極和像素電極的工作電壓，或低于所述公共電極和像素電極的工作電壓。

優選的，所述像素電極的工作電壓為0V～+5V或者-5V～+5V。

優選的，所述公共電極的工作電壓為0V或者-5V～+5V。

優選的，所述基準電極的工作電壓為-15V～0V或者5V～15V。

優選的，所述基準電極通過直流電驅動。

優選的，所述基準電極的制作材料為氧化銦錫。

優選的，所述基準電極和公共電極位于同一層。