[發(fā)明專利]一種圓環(huán)PTC的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110457067.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102522171A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫天舉;章小飛;劉利鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海長(zhǎng)園維安電子線路保護(hù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/02 | 分類號(hào): | H01C7/02;H01C7/13 |
| 代理公司: | 上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
| 地址: | 201202 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圓環(huán) ptc 制造 方法 | ||
1.一種圓環(huán)PTC的制備方法,圓環(huán)PTC的外形尺寸由外徑D、內(nèi)徑d以及厚度組成圓環(huán)片,包含兩個(gè)金屬箔片和一個(gè)PTC材料層,其特征在于:兩個(gè)金屬箔片的粗糙性表面與PTC材料層直接物理接觸,所述PTC材料層介于所述兩個(gè)金屬箔片之間,其上下金屬箔片與上下金屬鎳片通過(guò)組裝到電池蓋帽中形成一個(gè)組件,與電源連接形成一導(dǎo)電回路,其制備步驟依序?yàn)椋?
第一,圓環(huán)PTC為高分子基PTC,采用雙螺桿擠出機(jī)擠出造粒,再將所造料子用單螺桿擠出機(jī)擠出片狀芯層;
第二,將片狀芯層的上下二面與導(dǎo)電金屬箔片經(jīng)壓輥復(fù)合,并經(jīng)冷卻輥冷卻;
第三,將復(fù)合片用γ射線(Co60)或電子束輻照,交聯(lián)輻照劑量為15~35Mrad;
第四,輻照交聯(lián)的復(fù)合片沖壓成目標(biāo)尺寸的圓環(huán)狀芯片;
第五,將圓環(huán)狀芯片進(jìn)行冷熱沖擊后,即制得所述圓環(huán)PTC成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓環(huán)PTC的制備方法,其特征在于:第一步驟中,所述的雙螺桿擠出機(jī)為平行雙螺桿擠出機(jī),各段溫度設(shè)定范圍是160~190℃,所述單螺桿擠出機(jī)的各段溫度設(shè)定范圍是180~230℃,模頭溫度設(shè)定為190~210℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓環(huán)PTC的制備方法,其特征在于:第二步驟中,所述復(fù)合用壓輥為加熱鋼輥,輥徑150~300毫米,溫度設(shè)定范圍是140~200℃,所述的冷卻輥輥徑為不小于500毫米,溫度設(shè)定范圍依順序?yàn)椋?40~160℃、110~140℃、35℃以下環(huán)境溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或?3所述的一種圓環(huán)PTC的制備方法,其特征在于:所述復(fù)合時(shí)金屬箔片的張力為0~2千克力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓環(huán)PTC的制備方法,其特征在于:第五步驟中,所述冷熱沖擊條件為:熱箱85℃、45分鐘/冷箱-45℃、45分鐘,共6次,每次從熱箱進(jìn)去,冷箱出來(lái)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種圓環(huán)PTC的制備方法,其特征在于:所述造料原料粒徑不大于0.1毫米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海長(zhǎng)園維安電子線路保護(hù)股份有限公司,未經(jīng)上海長(zhǎng)園維安電子線路保護(hù)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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