[發明專利]光盤鍍膜控制方法

無效

• 申請號: 201110457047.7
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102560397A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 唐翔;黃灝
• 申請（專利權）人: 浙江華虹光電集團有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;G11B7/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光盤鍍膜控制方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)將基片與靶材相對平行放置于真空腔中；

b)抽真空至2×10^-4mbar；

c)通入氬氣，真空壓力控制在3×10^-3至8×10^-3mbar；

d)用500-800V的直流高壓使氬氣電離；

e)電離形成的等離子沿著磁場軌跡轟擊靶材，使得靶材表面組分以原子團或分子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面形成薄膜；

f)在濺鍍陰極外加裝電磁線圈，在電磁線圈中通以受控的電流，用以改變磁場的強度和空間分布，從而改變高能離子在空間上的區間分布；重復步驟e)和f)直至形成均勻的鍍膜層。

2.如權利要求1所述的光盤鍍膜控制方法，其特征在于，所述靶材為鋁、銅、硅、金或銀。

3.如權利要求1或2所述的光盤鍍膜控制方法，其特征在于，所述真空腔中的真空度為5×10^-3mbar。

4.如權利要求1或2所述的光盤鍍膜控制方法，其特征在于，所述真空腔中的磁場由磁鋼組成的固定磁場和電磁線圈組成的可變磁場疊加而成。