[發明專利]光學鄰近效應修正方法及相應的掩膜圖形形成方法有效
| 申請號: | 201110456959.2 | 申請日: | 2011-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103186032A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 萬金垠;王謹恒;張雷;陳潔 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜娟娟;王忠忠 |
| 地址: | 214028 中國無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 鄰近 效應 修正 方法 相應 圖形 形成 | ||
1.一種光學鄰近效應修正方法,包括模擬預期光刻圖形,獲得所模擬形成的光刻圖形與預期光刻圖形的差,依據所述差調整所述預期光刻圖形,其特征在于,依據所述差對預期光刻圖形進行調整包括根據模擬形成的光刻圖形與預期光刻圖形的差與調整因子之間的預設關系,獲得與所模擬形成的光刻圖形與預期光刻圖形的差相對應的調整因子,由所述差與所述調整因子相乘獲得所述預期光刻圖形的調整量,以及根據該調整量調整所述預期光刻圖形。
2.?根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述調整因子的大小隨所述差的增大而變大。
3.?根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述調整因子小于1。
4.?一種用于形成掩膜圖形的方法,其包括通過權利要求1到3中任意一個所述的光學鄰近效應修正方法獲得預期光刻圖形,根據所述預期光刻圖形在掩膜版上形成掩膜圖形。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





