[發明專利]一種提取互連線寄生參數的方法和裝置有效
| 申請號: | 201110456859.X | 申請日: | 2011-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102521468A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 馬天宇;陳嵐;楊飛;方晶晶 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;李玉秋 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提取 互連 寄生 參數 方法 裝置 | ||
1.一種提取互連線寄生參數的方法,其特征在于,包括步驟:
提供待提取集成電路版圖;
劃分所述待提取集成電路版圖為網格;
提取劃分為網格的所述集成電路版圖的每個網格的互連線厚度;
利用所述每個網格的互連線厚度提取所述集成電路版圖網格的互連線寄生參數。
2.根據權利要求1所述的提取互連線寄生參數的方法,其特征在于,所述提取劃分為網格的所述集成電路版圖的每個網格的互連線厚度為:
獲取集成電路版圖的每個所述網格內互連線的等效線寬和等效間距;
根據所述集成電路版圖的化學機械拋光工藝參數及所述網格內互連線的等效線寬和等效間距獲取所述網格的金屬碟形量和介質侵蝕量;
提取所述網格的互連線厚度,所述網格的互連線厚度為互連線的沉積厚度減去金屬碟形量再減去介質侵蝕量。
3.根據權利要求2所述的提取互連線寄生參數的方法,其特征在于,所述獲取集成電路版圖的每個所述網格內互連線的等效線寬和等效間距為:
所述網格內互連線的等效線寬Weff按照下式獲?。?/p>
其中,Wi為網格中包含的某一互連線線寬,Ai為線寬為Wi的互連線在網格的互連線面積中所占據的面積比例;
所述網格內互連線的等效間距Seff按照下式獲?。?/p>
其中,ρ為網格中互連線面積占據總面積的比例。
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