[發明專利]高壓放電模塊以及具備該模塊的高壓放電裝置

無效

• 申請號: 201110456847.7
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102570441A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 管恩振;王凱;王維重;陳毅;黃艷敏
• 申請（專利權）人: 東軟飛利浦醫療設備系統有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種高壓放電模塊，其特征在于，包括：

在上述高壓放電模塊的電流輸入端和電流輸出端之間串連連接的多個放電單元；

隔離變壓器，包括一個初級輸入線圈和變壓比相同的多個次級輸出線圈，為上述多個放電單元分別提供驅動電壓；以及

多個負載電阻，分別串聯連接在上述多個放電單元與上述電流輸入端之間以及上述多個放電單元之間，其中，上述放電單元分別包括：

晶體管開關元件；

連接在上述晶體管開關元件的漏電極與源電極之間的旁路電阻；

并聯連接在上述晶體管開關元件的上述柵電極與上述源電極之間的柵極控制電路，上述柵極控制電路包括串聯連接的上述隔離變壓器的多個次級輸出線圈中的某一個、限流電阻以及二極管。

2.根據權利要求1所述的高壓放電模塊，其特征在于，

在上述晶體管開關元件的上述柵電極與上述源電極之間還分別并聯連接著雙向二極管和電容器。

3.根據權利要求1所述的高壓放電模塊，其特征在于，

上述多個負載電阻是具有相同的低阻值的電阻，上述各放電單元的旁路電阻是具有相同的高阻值的電阻。

4.根據權利要求1所述的高壓放電模塊，其特征在于，

上述晶體管開關元件是N溝道MOSFET、P溝道MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管中的任一種。

5.一種高壓放電裝置，具備用于產生高電壓的倍壓電路，其特征在于，

在上述倍壓電路的兩端并聯連接著根據權利要求1至4中任一項所述的高壓放電模塊，上述高壓放電模塊的電流輸入端連接在上述倍壓電路的正極端，上述高壓放電模塊的電流輸出端連接在上述倍壓電路的負極端。