[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件、制造方法以及半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110456822.7
• 申請(qǐng)日: 2009-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN102522473A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔繁在;李鎮(zhèn)賢;樸基烈;趙明洙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星LED株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 薛義丹

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件具有順序?qū)盈B的第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、有源層、第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、第二電極層、絕緣層、第一電極層和傳導(dǎo)基底，

其中，第二電極層在第二電極層和第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層之間的界面處具有暴露區(qū)域，

第一電極層包括至少一個(gè)接觸孔，所述至少一個(gè)接觸孔電連接到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層，與第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層和有源層電絕緣，并從第一電極層的一個(gè)表面延伸到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括形成在第二電極層的暴露區(qū)域處的電極焊盤單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二電極層的暴露區(qū)域?yàn)楸淮┻^第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、有源層和第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層形成的通孔暴露的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，通孔的直徑在從第二電極層向第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層的方向上增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，絕緣層形成在通孔的內(nèi)表面上

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二電極層的暴露區(qū)域形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件的邊緣處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二電極層反射從有源層產(chǎn)生的光。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二電極層包含從由Ag、Al和Pt組成的組中選擇的一種金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，光子晶體形成在第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層的表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，傳導(dǎo)基底包含從由Au、Ni、Cu和W組成的組中選擇的一種金屬。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，傳導(dǎo)基底包含從由Si、Ge和GaAs構(gòu)成的組中選擇的一種。

12.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法包括以下步驟：

順序地層疊第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、有源層、第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、第二電極層、絕緣層、第一電極層和傳導(dǎo)基底；

在第二電極層和第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層之間的界面處形成暴露區(qū)域；

在第一電極層中形成至少一個(gè)接觸孔，所述接觸孔電連接到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層，與第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層和有源層電絕緣，并從第一電極層的一個(gè)表面延伸到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層的至少一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成第二電極層的暴露區(qū)域的步驟包括臺(tái)面蝕刻第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、有源層和第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，傳導(dǎo)基底通過電鍍方法形成。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，傳導(dǎo)基底通過基底結(jié)合方法被層疊

16.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件包括：

半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件主體，具有在其上表面形成的凹進(jìn)部分；

第一引線框架和第二引線框架，安裝到半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件主體，暴露在所述凹進(jìn)部分的下表面處，并相互分隔開預(yù)定的距離；

半導(dǎo)體發(fā)光器件，安裝到第一引線框架，

其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件具有順序?qū)盈B的第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、有源層、第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層、第二電極層、絕緣層、第一電極層和傳導(dǎo)基底。

第二電極層在第二電極層和第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層之間的界面處具有暴露區(qū)域，

第一電極層包括至少一個(gè)接觸孔，所述至少一個(gè)接觸孔電連接到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層，與第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層和有源層電絕緣，并從第一電極層的一個(gè)表面延伸到第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層的至少一部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝件，其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括形成在第二電極層的暴露區(qū)域處的電極焊盤單元，

電極焊盤單元電連接到第二引線框架。