[發(fā)明專利]薄膜的熱處理方法及熱處理裝置、化學氣相沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110456281.8
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN103184438A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林靜
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/56
• 分類號: C23C16/56;C23C16/44
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種薄膜的熱處理方法，其特征在于，所述薄膜是利用低壓化學氣相沉積工藝形成，所述熱處理方法包括：

向具有預設(shè)溫度、暴露于紫外光下的處理腔室中通入氣體，所述氣體與所述薄膜發(fā)生反應。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，所述薄膜是經(jīng)過兩次或兩次以上低壓化學氣相沉積工藝形成，每次利用低壓化學氣相沉積工藝形成預定厚度的薄膜之后，對所述薄膜進行所述熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法，其特征在于，所述薄膜的材質(zhì)為高K介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理方法，其特征在于，所述熱處理溫度為25℃～600℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理方法，其特征在于，所述熱處理時間為5s～100s。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理方法，其特征在于，進行所述熱處理時紫外光的波長為1nm～200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理方法，其特征在于，所述氣體包括H₂、D₂中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱處理方法，其特征在于，所述氣體還包括O₂、N₂、NH₃、NO、N₂O中的至少一種。

9.一種薄膜熱處理裝置，其特征在于，其包括：

處理腔室，其設(shè)置有氣體導入口；

適于對所述處理腔室進行加熱的加熱裝置；

設(shè)置在所述處理腔室內(nèi)的基座；

設(shè)置在所述基座上方的適于吸附半導體襯底的吸附裝置；

設(shè)置在所述處理腔室內(nèi)的紫外光光源。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱處理裝置，其特征在于，紫外光的波長為1nm～200nm。

11.一種化學氣相沉積裝置，其特征在于，其包括處理腔室、設(shè)置在所述處理腔室內(nèi)的紫外光光源。