[發(fā)明專利]浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110456273.3
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN103187258A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 仇圣棻
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/311
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法，包括：

提供基底，所述基底包含襯底和襯底之上依次沉積的氧化硅層和氮化硅層，以及淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構將所述氮化硅層分離成至少一個相互獨立部分；

去除部分氮化硅層；

反復進行下述步驟，直到氮化硅層全部被去除：

對去除部分氮化硅層后形成的凹槽側壁進行部分去除，并再次去除部分氮化硅層。

2.根據(jù)權利要求1所述的浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法，其特征在于：所述氮化硅層全部被去除后所形成的凹槽開口寬度大于凹槽底部寬度。

3.根據(jù)權利要求2所述的浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法，其特征在于：所述凹槽橫截面呈倒梯形。

4.根據(jù)權利要求1至3任一項所述的浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法，其特征在于：去除部分氮化硅層采用濕法蝕刻方法，刻蝕液為160℃熱磷酸，對氮化硅的蝕刻率為蝕刻時間為5min。

5.根據(jù)權利要求1至3任一項所述的浮柵制造過程中氮化硅層的去除方法，其特征在于：對凹槽側壁進行部分去除采用濕法蝕刻方法，刻蝕液采用HF∶H₂O為1∶200的氫氟酸溶液，對氧化硅的蝕刻率為蝕刻時間為5～10min。