[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110456183.4
• 申請(qǐng)日: 2011-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569357A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 玉城朋宏;中澤芳人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

(a)半導(dǎo)體芯片，具有第一主表面和第二主表面，所述第一主表面設(shè)置有功率MOSFET的源極電極，所述第二主表面設(shè)置有所述功率MOSFET的漏極電極；

(b)第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)域，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的基本上整個(gè)第一主表面中；

(c)基本上設(shè)置在所述第一主表面的中間部分處的基本上矩形的有源單元區(qū)域、沿著所述有源單元區(qū)域的各個(gè)側(cè)部設(shè)置在所述有源單元區(qū)域的外側(cè)的外圍側(cè)部區(qū)域以及設(shè)置在所述有源單元區(qū)域的各個(gè)拐角部分的外側(cè)的外圍拐角區(qū)域；

(d)第一超結(jié)結(jié)構(gòu)，具有第一取向，并且設(shè)置在所述單元區(qū)域的基本上整個(gè)表面中和所述漂移區(qū)域中；

(e)第二超結(jié)結(jié)構(gòu)和第三超結(jié)結(jié)構(gòu)，每個(gè)都具有與所述第一超結(jié)結(jié)構(gòu)的寬度和取向基本上相同的寬度和取向，并且在所述第一超結(jié)結(jié)構(gòu)的第一取向的方向中設(shè)置在所述有源單元區(qū)域的兩側(cè)上的每個(gè)所述外圍側(cè)部區(qū)域的漂移區(qū)域中從而耦合到所述第一超結(jié)結(jié)構(gòu)；

(f)第四超結(jié)結(jié)構(gòu)和第五超結(jié)結(jié)構(gòu)，每個(gè)都具有與所述第一超結(jié)結(jié)構(gòu)的取向基本上正交的取向，并在與所述第一超結(jié)結(jié)構(gòu)的第一取向的方向正交的方向上設(shè)置在所述有源單元區(qū)域的兩側(cè)上的每個(gè)所述外圍側(cè)部區(qū)域的漂移區(qū)域中；

(g)第二導(dǎo)電類型的主結(jié)區(qū)域，其為所述有源單元區(qū)域的外端部分并且設(shè)置在所述漂移區(qū)域的表面中使得圍繞所述有源單元區(qū)域；以及

(h)所述第二導(dǎo)電類型的表面降低表面場(chǎng)區(qū)域，設(shè)置在所述漂移區(qū)域的表面中使得耦合到所述主結(jié)區(qū)域的外端并圍繞所述主結(jié)區(qū)域，

其中所述表面降低表面場(chǎng)區(qū)域的外端位于所述主結(jié)區(qū)域的外端與由所述第二至第五超結(jié)結(jié)構(gòu)形成的外圍超結(jié)區(qū)域的外端之間的中間區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，

其中所述表面降低表面場(chǎng)區(qū)域的外端基本位于所述主結(jié)區(qū)域的外端與由所述第二至第五超結(jié)結(jié)構(gòu)形成的所述外圍超結(jié)區(qū)域的外端之間的中部處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一至第五超結(jié)結(jié)構(gòu)由溝槽外延填充方法形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，

其中，在由所述第二至第五超結(jié)結(jié)構(gòu)形成的所述外圍超結(jié)區(qū)域之上，設(shè)置在該區(qū)域之上環(huán)行延伸的多個(gè)浮置場(chǎng)板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，

其中每個(gè)所述浮置場(chǎng)板呈現(xiàn)矩形框形狀，所述矩形框形狀的每個(gè)拐角部分都被彎曲成直角。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，

其中每個(gè)所述浮置場(chǎng)板呈現(xiàn)矩形框形狀，所述矩形框形狀的每個(gè)拐角部分都被圓弧化。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，

其中每個(gè)所述外圍拐角區(qū)域設(shè)置有拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)，所述拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)關(guān)于延伸通過(guò)所述拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的所述半導(dǎo)體芯片的對(duì)角線是基本上線對(duì)稱的，并且所述拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的一部分關(guān)于所述對(duì)角線而鄰近于所述第四超結(jié)結(jié)構(gòu)且具有與所述第四超結(jié)結(jié)構(gòu)的寬度和取向基本上相同的寬度和取向，以及所述拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的一部分關(guān)于所述對(duì)角線而鄰近于所述第二超結(jié)結(jié)構(gòu)且具有與所述第二超結(jié)結(jié)構(gòu)的寬度和取向基本上相同的寬度和取向。

8.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，

其中每個(gè)所述外圍拐角區(qū)域設(shè)置有具有與所述第四超結(jié)結(jié)構(gòu)的寬度和取向基本上相同的寬度和取向的拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，

其中所述拐角部分超結(jié)結(jié)構(gòu)具有削減的外部。