[發明專利]低溫材料優質化方法及其處理裝置

無效

• 申請號: 201110456029.7
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN103184424A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 陳柏颕
• 申請（專利權）人: 陳柏颕
• 主分類號: C23C14/58
• 分類號: C23C14/58;C23C16/56
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

1.一種低溫材料優質化方法，其特征在于：包含有

一個第一超臨界流體清洗步驟，是先將一個待處理材料置于一個真空環境中，之后再以超臨界狀態的流體對該待處理材料進行清洗；

一個恒溫處理步驟，將經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗后的該待處理材料暴露于壓力在70～400大氣壓且溫度在攝氏100～450度的環境下一預設時間；以及

一個第二超臨界流體清洗步驟，以超臨界狀態的流體對經過該恒溫處理步驟的該待處理材料進行清洗。

2.根據權利要求1所述低溫材料優質化方法，其特征在于：在該恒溫處理步驟中，是將經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗后的待處理材料暴露于壓力在200大氣壓且溫度在攝氏180度的真空環境下。

3.根據權利要求2所述低溫材料優質化方法，其特征在于：在該恒溫處理步驟中，其壓力及溫度是隨著時間變化。

4.根據權利要求1至3中任一項所述低溫材料優質化方法，其特征在于：還包含一個介于該第一超臨界流體清洗步驟及該恒溫處理步驟間的沉積步驟，該沉積步驟是在經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗后的待處理材料的表面形成一片薄膜。

5.根據權利要求4所述低溫材料優質化方法，其特征在于：在該第一超臨界流體清洗步驟及該第二超臨界流體清洗步驟中，該流體是選自于二氧化碳、一氧化二氮、三氟一氯甲烷、二氟二氯甲烷或前述物質的組合。

6.根據權利要求5所述低溫材料優質化方法，其特征在于：在該沉積步驟中，是以選自于濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積、化學氣相沉積，或電子回旋共振式化學氣相沉積的方式將該薄膜沉積于該待處理材料的表面。

7.一種低溫材料優質化處理裝置，是對一個待處理材料進行優質化處理，其特征在于：該低溫材料優質化處理裝置包含有

一個本體，該本體內形成有一個容置空間；

一個處理單元，設置于該本體并位于該本體的容置空間內，該處理單元具有一個處理腔室，且該處理腔室內的溫度及壓力是能夠調整的；

一個沉積單元，設置于該本體并位于該本體的容置空間內，該沉積單元具有一個沉積腔室，且能夠將一片薄膜鍍于該待處理材料的表面；

一個輸送單元，設置于該本體并位于該本體的容置空間內且承載該待處理材料，使其依默認流程于該處理單元及該沉積單元中進行存取；及

一個流體單元，設置于該本體并與該處理單元的處理腔室相連通，并能夠控制流體輸入該處理腔室內。