[發明專利]功率元件封裝結構

無效

• 申請號: 201110455882.7
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103187374A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林孟輝
• 申請（專利權）人: 富鼎先進電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種功率元件封裝結構，其特征在于，包含：

一基材，具有一第一表面及相對于該第一表面的一第二表面；

一源極層，設置于該基材的該第一表面；

一柵極層，設置于該基材的該第一表面；

一漏極層，設置于該基材的該第二表面；

一介電層，覆蓋該源極層、該柵極層及該基材的該第一表面；

至少一漏極焊墊，設置于該介電層上；

至少一源極焊墊，設置于該介電層上；

至少一柵極焊墊，設置于該介電層上；

至少一漏極金屬柱，連接該漏極層與該至少一漏極焊墊；

至少一源極金屬柱，連接該源極層與該至少一源極焊墊；以及

至少一柵極金屬柱，連接該柵極層與該至少一柵極焊墊。

2.根據權利要求1所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該至少一漏極焊墊、該至少一源極焊墊及該至少一柵極焊墊，設置于該介電層的同一表面。

3.根據權利要求1所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該至少一漏極金屬柱、該至少一源極金屬柱、與該至少一柵極金屬柱互相平行。

4.根據權利要求3所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該至少一源極金屬柱位于該至少一漏極金屬柱與該至少一柵極金屬柱之間。

5.根據權利要求3所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該至少一漏極金屬柱位于該至少一源極金屬柱與該至少一柵極金屬柱之間。

6.根據權利要求3所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該至少一柵極金屬柱位于該至少一源極金屬柱與該至少一漏極金屬柱之間。

7.根據權利要求1所述的功率元件封裝結構，其特征在于，還包含一金屬層，設置于該漏極層背對該基材的一表面。

8.根據權利要求1所述的功率元件封裝結構，其特征在于，該介電層的材料為聚亞酰胺樹脂或環氧樹脂。

9.一種功率元件封裝結構的制造方法，其特征在于，包含：

形成一源極層及一柵極層于一基材的一第一表面，并形成一漏極層于該基材的相對于該第一表面的一第二表面；

形成一介電層于該源極層、該柵極層、及該基材；

標定出至少一漏極蝕刻區域、至少一源極蝕刻區域、及至少一柵極蝕刻區域；

蝕刻該至少一漏極蝕刻區域、該至少一源極蝕刻區域、及該至少一柵極蝕刻區域，以分別形成至少一漏極通道、至少一源極通道、及至少一柵極通道；

灌注金屬至該至少一漏極通道、該至少一源極通道、及該至少一柵極通道，以分別形成至少一漏極金屬柱、至少一源極金屬柱、及至少一柵極金屬柱；

分別形成至少一漏極焊墊、至少一源極焊墊、及至少一柵極焊墊于該至少一漏極金屬柱、該至少一源極金屬柱、及該至少一柵極金屬柱上；以及

切割該基材、該介電層與該漏極層。

10.根據權利要求9所述的功率元件封裝結構的制造方法，其特征在于，還包含形成一金屬層于該漏極層背對該基材的一表面。