[發(fā)明專利]用于處理襯底表面的葉片模塊無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110455475.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102931119A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安吉秀;張承逸;崔鐘春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社MM科技 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿道安山市檀園區(qū)木內(nèi)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 處理 襯底 表面 葉片 模塊 | ||
1.一種葉片模塊,用于處理襯底的表面,所述葉片模塊包括:
流體提供模塊,其在長(zhǎng)度方向上朝所述襯底提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者;
噴氣模塊,其中噴氣噴嘴布置在所述長(zhǎng)度方向上,并朝所述襯底噴射流體切割空氣;以及
框架,其固定所述流體提供模塊的兩個(gè)相對(duì)端以及所述噴氣模塊的兩個(gè)相對(duì)端,以將所述流體提供模塊與所述噴氣模塊裝配在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的葉片模塊,其中所述流體提供模塊包括:
多個(gè)流體供給孔,其形成于所述長(zhǎng)度方向上;以及
流體提供噴嘴,其朝所述襯底形成,
其中在所述流體供給孔與所述流體提供噴嘴之間形成多級(jí)通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的葉片模塊,其進(jìn)一步包括:
多個(gè)第一供給管,其分別附接到所述流體供給孔;以及
第二供給管,其使所述第一供給管互連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的葉片模塊,其中所述流體提供模塊包括:
儲(chǔ)存單元,其中儲(chǔ)存有所述蝕刻流體或所述水,且所述蝕刻流體或所述水在所述儲(chǔ)存單元上流動(dòng);以及
引導(dǎo)單元,其連接到所述儲(chǔ)存單元,以在朝所述襯底的方向上引導(dǎo)所述儲(chǔ)存單元上滿而溢出的所述蝕刻流體或所述水。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊,其中所述流體提供模塊進(jìn)一步包括通過(guò)部分打開所述儲(chǔ)存單元的頂部表面以傳輸所述蝕刻流體或所述水而形成的傳輸縫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的葉片模塊,其中所述流體提供模塊進(jìn)一步包括多個(gè)引導(dǎo)槽,其形成于所述儲(chǔ)存單元的所述頂部表面上,連接到所述傳輸縫,且在所述儲(chǔ)存單元的寬度方向上向外延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的葉片模塊,其中所述儲(chǔ)存單元包括:
下部?jī)?chǔ)存單元,其包含供所述蝕刻流體或所述水的入口,并連接到所述引導(dǎo)單元;
上部?jī)?chǔ)存單元,其與所述下部?jī)?chǔ)存單元連通,并包含形成于所述上部?jī)?chǔ)存單元的所述頂部表面上的所述傳輸縫;以及
狹窄通道,其插入所述下部?jī)?chǔ)存單元與所述上部?jī)?chǔ)存單元之間,使所述下部?jī)?chǔ)存單元與所述上部?jī)?chǔ)存單元互連,以允許所述下部?jī)?chǔ)存單元與所述上部?jī)?chǔ)存單元相互連通,且形成為比所述下部?jī)?chǔ)存單元和所述上部?jī)?chǔ)存單元窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊,其中所述儲(chǔ)存單元形成為具有矩形橫截面,且
所述儲(chǔ)存單元進(jìn)一步包括形成為完全打開所述儲(chǔ)存單元的所述頂部表面的開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊,其中所述流體提供單元進(jìn)一步包括緩沖分區(qū),其在所述儲(chǔ)存單元內(nèi)部布置在水平方向上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的葉片模塊,其中所述緩沖分區(qū)進(jìn)一步包括多個(gè)緩沖傳輸孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的葉片模塊,其中所述儲(chǔ)存單元連接到流體供給管,且
所述緩沖分區(qū)布置在連接所述流體供給管處的上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的葉片模塊,其中所述引導(dǎo)單元形成為錐形。
13.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊,其中所述噴氣模塊以傾斜位置安裝到所述框架,并沿傾斜方向朝所述襯底噴射流體切割空氣。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊,其中所述框架包括:
一對(duì)第一框架,其分別附接到所述噴氣模塊的兩個(gè)相對(duì)端并包含角度調(diào)節(jié)縫;以及
一對(duì)第二框架,所述一對(duì)第一框架分別附接到所述一對(duì)第二框架。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的葉片模塊,其中所述第二框架包括:
附接部分,所述第一框架附接到所述附接部分;以及
支撐部分,其與所述附接部分分離,
其中所述支撐部分附接到使所述一對(duì)第二框架互連的支撐框架。
16.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊,其中所述流體提供模塊包括:
第一流體提供模塊,其朝所述襯底提供所述蝕刻流體;以及
第二流體提供模塊,其朝所述襯底提供所述水。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的葉片模塊,其中所述框架包括使所述第一流體提供模塊與所述第二流體提供模塊互連的第三框架。
18.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任一權(quán)利要求所述的葉片模塊,其進(jìn)一步包括:
多個(gè)第三供給管,其在所述噴氣模塊的所述長(zhǎng)度方向上附接到所述噴氣模塊;以及
第四供給管,其使所述多個(gè)第三供給管互連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





