[發(fā)明專利]多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法及氮化硅涂層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110455432.8 | 申請日： | 2011-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN103506263A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高世超;陳立新;馮文宏;張運峰;王丙寬 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | B05D5/00 | 分類號： | B05D5/00;B05D5/08;B05D1/02;B05D3/00;C01B33/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 坩堝 噴涂 烘干 方法 氮化 涂層 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，包括步驟：
1)將氮化硅、去離子水和硅溶膠混合，形成乳漿狀溶液；
2)將所述溶液霧化，并噴涂至坩堝內壁，自然干燥后形成氮化硅涂層。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述硅溶膠為電子級高純硅溶膠。
3.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述硅溶膠的主要成分為SiO2。
4.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述氮化硅、所述硅溶膠和所述去離子水的質量配比為1∶0.5∶3～1∶0.7∶3.5。
5.根據(jù)權利要求4所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述氮化硅、所述硅溶膠和所述去離子水的質量配比為1∶0.6∶3.2。
6.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述溶液的噴涂溫度范圍處于65-75℃之間。
7.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法，其特征在于，所述溶液的噴涂壓力范圍處于10～100Pa之間。
8.一種氮化硅涂層，粘附于多晶硅坩堝的內表面，其特征在于，所述氮化硅涂層由如權利1-7任意一項所述的多晶硅坩堝噴涂免烘干的方法加工而成。?
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