[發明專利]再裝填原料多晶硅的方法

有效

• 申請號: 201110455221.4
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102534755A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 加藤英生;吉村聡子;二宮武士
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.再裝填原料多晶硅的方法，所述原料多晶硅用于制備硅單晶錠，所述方法包括將原料多晶硅裝入坩堝中的裝入步驟，熔化所述坩堝中裝入的多晶硅以形成硅熔體的熔化步驟，以及使晶種與所述硅熔體接觸并且提拉所述晶種，從而生長硅單晶錠的提拉步驟；其中，在所述熔化步驟和提拉步驟后，向所述坩堝中進一步供給原料多晶硅；其中，通過將小尺寸的小多晶硅塊引入到所述坩堝中的硅熔體的表面而形成緩沖區，并且將尺寸大于所述小多晶硅塊的大多晶硅塊供給至所述緩沖區上。

2.根據權利要求1所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為5mm至50mm。

3.根據權利要求2所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為5mm至小于20mm。

4.根據權利要求2所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述小多晶硅塊的尺寸為20mm至50mm。

5.根據權利要求1-4之一所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中使用再裝填裝置將原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體，所述再裝填裝置包括具有通道的主體和使所述主體的一端打開或閉合的蓋體，所述通道貫穿所述主體。

6.根據權利要求5所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中所述大多晶硅塊的尺寸允許所述大多晶硅塊通過所述主體的通道，并且大于50mm。

7.根據權利要求5或6所述的再裝填原料多晶硅的方法，其中用所述蓋體閉合所述再裝填裝置的主體的一端，將所述小多晶硅塊裝入所述主體中，將所述大多晶硅塊裝到已裝入所述主體的小多晶硅塊上，并且打開所述蓋體以將所述原料多晶硅供給至所述坩堝中的硅熔體。