[發(fā)明專(zhuān)利]一種單載體MEMS器件封裝件及其生產(chǎn)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110455054.3
• 申請(qǐng)日: 2011-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102515082A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱文輝;李習(xí)周;慕蔚;郭麗花;郭小偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81B7/00
• 分類(lèi)號(hào): B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種單載體MEMS器件封裝件，包括引線框架及包覆引線框架載體的包封體，其特征在于：所述的引線框架為單載體引線框架，包括面向包封體的內(nèi)壁（10）及與內(nèi)壁相對(duì)的外壁（11），引線框架載體（1）上端固定連接有第一MEMS器件（3），所述第一MEMS器件（3）通過(guò)第一健合線（5）與引線框架載體（1）的內(nèi)引腳（4）相連接。

2.如權(quán)利要求1所述一種單載體MEMS器件封裝件，其特征在于：在所述引線框架載體上端固定連接有第二MEMS器件（8）和第三MEMS器件（7），在第三MEMS器件（7）左邊焊盤(pán)上預(yù)植金球或銅球（13），從第二MEMS器件（8）的焊盤(pán)到第三MEMS器件（7）左邊焊盤(pán)上金球或銅球（13）間通過(guò)第二鍵合線（9）相連接，所述第三MEMS器件（7）通過(guò)第一鍵合線（5）與引線框架載體的內(nèi)引腳（4）相連接。

3.如權(quán)利要求1或2所述一種單載體MEMS器件封裝件，其特征在于：所述包封體（6）由絕緣材料制成，對(duì)MEMS器件和鍵合線起到支撐和保護(hù)作用。

4.如權(quán)利要求1或2所述一種單載體MEMS器件封裝件的生產(chǎn)方法，按下述步驟進(jìn)行：

?a．晶圓減薄/劃片

芯片晶圓減薄厚度為：200μm，粗糙度Ra?0.10mm，減薄機(jī)具備8″～12″超薄減薄拋光功能，采用防翹曲薄減薄工藝；

b、粘片

采用IC芯片粘片技術(shù)將MEMS器件粘接到引線框架上，工藝過(guò)程為：點(diǎn)膠-粘片-固化烘烤三個(gè)步驟：

采用AD828系列粘片機(jī)，單芯片封裝，先在單載體框架上點(diǎn)上粘片膠，然后將第一MEMS器件（3）放在已點(diǎn)粘片膠上，粘完全部第一MEMS器件（3）送烘烤；

c、壓焊

使用Eagle60焊線機(jī)或W3100?Plus焊線機(jī)，在第一MEMS器件（3）焊盤(pán)上植金球或銅球（13），然后拱絲拉弧從第一MEMS器件（3）向載體內(nèi)引腳（4）引線，形成第一健合線（5）；鍵合襯底溫度：165℃～175℃；

d、包封

采用與IC產(chǎn)品同類(lèi)型封裝形式包封模具及材料，采用全自動(dòng)包封機(jī)和環(huán)保型塑封料；

e、打印

打印采用通用打印夾具，工藝同普通塑料封裝集成電路生產(chǎn)；

f、電鍍

先將打印好的產(chǎn)品送高速電鍍線電鍍，電鍍采用沖廢、熱煮軟化、高壓水去溢料工藝流程，鍍液溫度：35-45℃，電鍍電流：95±5A/槽，鍍層厚度:7.0-20.32μm；

?g、切筋成型

采用自動(dòng)切筋成型系統(tǒng)，自動(dòng)進(jìn)料，自動(dòng)入管。

5.?如權(quán)利要求4所述一種單載體MEMS器件封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述雙MEMS器件粘片時(shí)b步驟粘片工藝為：第一次粘片（導(dǎo)電膠），先在單載體框架上點(diǎn)上粘片膠，然后將第二MEMS器件（8）放在已點(diǎn)粘片膠上，粘完第二MEMS器件（8）；第二次粘片（絕緣膠），更換第三MEMS的器件（7）晶圓和第二粘片膠，先在已粘第二MEMS器件（8）的載體旁點(diǎn)上第二粘片膠，第三MEMS器件（7）和第二MEMS器件（8）間空隙大于0.20mm，將第三MEMS器件（7）放在已點(diǎn)第二粘片膠（12）之上，粘完第三MEMS器件（7）后一起烘烤，烘烤條件為：150℃，烘烤4小時(shí)。

6.如權(quán)利要求4所述一種單載體MEMS器件封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述雙MEMS器件封裝時(shí)c步驟壓焊工藝為：首先在第三MEMS器件（7）左邊焊盤(pán)上預(yù)植金球或銅球（13），從第二MEMS器件（8）的焊盤(pán)到第三MEMS器件（7）左邊焊盤(pán)上金球或銅球（13）間通過(guò)第二鍵合線9相連接，所述第三MEMS器件7通過(guò)第一鍵合線（5）與引線框架載體的內(nèi)引腳（4）相連接，鍵合襯底溫度：165℃～175℃。