[發(fā)明專利]太陽能電池及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110454266.X | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103187458A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱虹;徐根保 | 申請（專利權）人： | 朱虹;徐根保 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/078;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括疊層設置的硅基子電池與III-V族化合物子電池，所述III-V族化合物子電池比所述硅基子電池更靠近光入射方向。
2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基子電池、所述III-V族化合物子電池為p-n型或p-i-n型接合結構。
3.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基子電池包括由非晶硅、微晶硅、單晶硅或多晶硅材料制成的光電轉換層。
4.如權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述非晶硅包括氫化非晶硅、氫化非晶硅碳、氫化非晶硅鍺或氫化非晶硅碳鍺。
5.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述III-V族化合物子電池包括由Al1-XGaXN材料制成的光電轉換層，其中，0≤X≤1。
6.如權利要求1至5任一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基子電池與所述III-V族化合物子電池之間設置有導電連接層。
7.如權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述導電連接層包括層疊設置的N型重摻雜層與P型重摻雜層。
8.如權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述N型重摻雜層、P型重摻雜層的材料均為摻雜硅。
9.如權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述導電連接層包括同層設置、并相鄰的N型重摻雜區(qū)與P型重摻雜區(qū)。
10.如權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，所述N型重摻雜區(qū)與所述P型重摻雜區(qū)的材料均為摻雜硅，所述N型重摻雜區(qū)、P型重摻雜區(qū)位于所述硅基子電池的表面。
11.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底；
形成硅基子電池；
在所述硅基子電池上形成III-V族化合物子電池；
在所述III-V族化合物子電池上形成TCO玻璃。
12.如權利要求11所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述硅基子電池為p-n型或p-i-n型接合結構。
13.如權利要求12所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述III-V族化合物子電池包括由Al1-XGaXN材料制成的光電轉換層，其中，0≤X≤1。
14.如權利要求11至13任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，形成III-V族化合物子電池前，在所述硅基子電池上依次形成P型重摻雜的硅層與N型重摻雜的硅層。
15.如權利要求11至13任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，形成III-V族化合物子電池前，對所述硅基子電池的表層進行摻雜，形成相鄰的N型重摻雜區(qū)與P型重摻雜區(qū)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
