[發明專利]半導體存儲器件及其測試電路和測試操作方法有效
| 申請號: | 201110454132.8 | 申請日: | 2011-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102543206A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 都昌鎬;康卜文;丁臺衡 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/08 | 分類號: | G11C29/08 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 器件 及其 測試 電路 操作方法 | ||
1.一種半導體存儲器件,包括:
多個存儲體,所述多個存儲體每個都包括多個第一存儲器單元和多個第二存儲器單元;
第一輸入/輸出單元,所述第一輸入/輸出單元被配置成在所述第一存儲器單元與多個第一數據焊盤之間傳送第一數據;
第二輸入/輸出單元,所述第二輸入/輸出單元被配置成在所述第二存儲器單元與多個第二數據焊盤之間傳送第二數據;
路徑選擇單元,所述路徑選擇單元被配置成在測試模式期間,將經由所述第一數據焊盤輸入的所述第一數據傳送至所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元;以及
測試模式控制單元,所述測試模式控制單元被配置成在所述測試模式期間,將所述所述第一存儲器單元的第一數據與所述第二存儲器單元的第一數據進行比較,以基于比較結果來控制所述第一數據焊盤中的至少一個以表示故障狀態,其中,所述測試模式控制單元在讀取操作期間將所述第一數據焊盤中的所述一個控制為高阻狀態。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件,其中,所述測試模式控制單元包括:
故障檢測單元,所述故障檢測單元被配置成將所述第一存儲器單元的所述第一數據與所述第二存儲器單元的所述第一數據進行比較,以基于比較結果輸出故障檢測信號;
鎖存器單元,所述鎖存器單元被配置成響應于在所述測試模式下被激活的測試模式信號和在讀取命令輸入時被觸發的選通信號,來鎖存所述故障檢測信號并輸出故障鎖存信號;
測試信號發生單元,所述測試信號發生單元基于故障鎖存信號和所述測試模式信號來產生測試信號;以及
故障信號輸出單元,所述故障信號輸出單元被配置成響應于所述測試信號和在讀取操作期間被去激活的斷開驅動器信號,來輸出故障信號。
3.如權利要求2所述的半導體存儲器件,還包括輸入/輸出驅動器,所述輸入/輸出驅動器被配置成響應于所述故障信號將所述第一數據焊盤中的一個驅動為表示故障狀態。
4.如權利要求2所述的半導體存儲器件,其中,所述故障檢測單元包括:
多個比較單元,所述多個比較單元將所述第一存儲器單元的所述第一數據與所述第二存儲器單元的所述第一數據進行比較;以及
求和單元,所述求和單元被配置成基于所述比較單元的輸出來輸出所述故障檢測信號。
5.如權利要求4所述的半導體存儲器件,其中,所述比較單元每個都包括異或非門,所述異或非門每個都在相應的第一數據彼此相等時輸出其輸出信號。
6.如權利要求4所述的半導體存儲器件,其中,所述求和單元包括邏輯門,以對所述比較單元的輸出執行“與”運算。
7.如權利要求2所述的半導體存儲器件,其中,所述鎖存器單元通過與所述選通信號同步地鎖存所述故障檢測信號,來輸出所述故障鎖存信號。
8.如權利要求2所述的半導體存儲器件,其中,所述鎖存器單元包括:
延遲控制單元,所述延遲控制單元被配置成將所述選通信號延遲并輸出延遲的選通信號;以及
D觸發器,所述D觸發器被配置成通過與所述延遲的選通信號同步地鎖存所述故障檢測信號來輸出所述故障鎖存信號。
9.如權利要求8所述的半導體存儲器件,其中,所述延遲控制單元具有與所述故障檢測單元產生所述故障檢測信號所花費的時間相對應的延遲量,以便將所述延遲的選通信號與所述故障檢測信號同步。
10.如權利要求8所述的半導體存儲器件,其中,所述延遲控制單元和所述D觸發器響應于所述測試模式信號被使能。
11.如權利要求2所述的半導體存儲器件,其中,所述測試信號發生單元通過將所述故障鎖存信號同步化到經由所述第一數據焊盤和所述第二數據焊盤的數據的輸出定時,來產生所述測試信號。
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