[發(fā)明專(zhuān)利]車(chē)用多功能(試驗(yàn))電源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110453968.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103187898A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張釗;姚烈;張家寧;周俊;李輝;李俊鵬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海汽車(chē)集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02M7/797 | 分類(lèi)號(hào): | H02M7/797;H02M3/337 |
| 代理公司: | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 俞華梁;王忠忠 |
| 地址: | 201203 中國(guó)上海市張*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多功能 試驗(yàn) 電源 | ||
1.?一種車(chē)用多功能電源,包括:
IGBT模塊,用于進(jìn)行AC/DC轉(zhuǎn)換以及DC/AC逆變;
雙向推挽振蕩電路,包括第一推挽電路,高頻振蕩電路和第二推挽電路并且第一推挽電路和第二推挽電路分別耦合在高頻振蕩電路的兩邊,其中,所述第一推挽電路用于將從所述IGBT模塊輸出的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓和將從高頻振蕩電路中抽取的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓并反饋給IGBT模塊;所述高頻振蕩電路用于在50kHz或更高的頻率下通過(guò)脈寬調(diào)節(jié)對(duì)交流電壓進(jìn)行改變;所述第二推挽電路用于將經(jīng)高頻振蕩電路改變的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓和將從負(fù)載中抽取的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓并反饋給高頻振蕩電路;以及
IGBT驅(qū)動(dòng)器,用于經(jīng)由單片機(jī)的閉環(huán)控制對(duì)IGBT模塊、第一推挽電路和第二推挽電路中的各開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行通斷控制,使得電源輸出穩(wěn)定在預(yù)期值。
2.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,其中IGBT驅(qū)動(dòng)器采用SPWM和PWM結(jié)合的方式來(lái)對(duì)IGBT模塊、第一推挽電路和第二推挽電路中的各開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行通斷控制。
3.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,其中所述IGBT模塊用于進(jìn)行回饋電網(wǎng)放電。
4.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,還包括:
第一電壓比較器,用于將IGBT模塊輸出的電壓與第一參考電壓進(jìn)行比較,并將比較結(jié)果發(fā)送給單片機(jī);和
第二電壓比較器,用于將車(chē)用多功能電源的輸出電壓與第二參考電壓進(jìn)行比較,并將比較結(jié)果發(fā)送給單片機(jī);
其中,單片機(jī)根據(jù)第一電壓比較器和第二電壓比較器的比較結(jié)果實(shí)時(shí)地向IGBT驅(qū)動(dòng)器提供控制信號(hào)。
5.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,還包括:
鍵盤(pán),用于向單片機(jī)輸入用戶(hù)預(yù)期電壓和/或電流;和
顯示裝置,用于顯示從單片機(jī)接收的信息。
6.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,還包括:
濾波電路,耦合在IGBT模塊與交流輸入之間。
7.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,還包括:
由可變電阻、第一電阻、第一二極管和施密特觸發(fā)器組成的相位采樣電路,所述相位采樣電路將從IGBT模塊中采集的相位信息提供給單片機(jī)。
8.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,還包括:
電流傳感器,用于感測(cè)輸出支路的電流,并將與該電流有關(guān)的信息提供給單片機(jī)的模數(shù)轉(zhuǎn)換端口。
9.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,其中所述IGBT模塊包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT,并且其中第一IGBT的第一端與第三IGBT的第一端相耦合,第一IGBT的第二端與第二IGBT的第一端相耦合,第二IGBT的第二端與第四IGBT的第二端相耦合,第三IGBT的第二端與第四IGBT的第一端相耦合。
10.?如權(quán)利要求9所述的車(chē)用多功能電源,其中在IGBT模塊用于AC/DC轉(zhuǎn)換時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器使第一至第四IGBT關(guān)斷。
11.?如權(quán)利要求9所述的車(chē)用多功能電源,其中在IGBT模塊用于DC/AC逆變時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器使第一、第四IGBT與第二、第三IGBT交替導(dǎo)通。
12.?如權(quán)利要求1所述的車(chē)用多功能電源,其中所述第一推挽電路包括第一、第二、第三和第四增強(qiáng)型MOS晶體管,并且其中第一增強(qiáng)型MOS晶體管的第一端與第二增強(qiáng)型MOS晶體管的第一端、高頻振蕩電路的第一端相耦合,第一增強(qiáng)型MOS晶體管的第二端與第二增強(qiáng)型MOS晶體管的第二端、地相耦合,第三增強(qiáng)型MOS晶體管的第一端與第四增強(qiáng)型MOS晶體管的第一端、高頻振蕩電路的第二端相耦合,第三增強(qiáng)型MOS晶體管的第二端與第四增強(qiáng)型MOS晶體管的第二端、地相耦合。
13.?如權(quán)利要求12所述的車(chē)用多功能電源,其中在第一推挽電路用于將從所述IGBT模塊輸出的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器使第一、第二增強(qiáng)型MOS晶體管與第三、第四增強(qiáng)型MOS晶體管交替導(dǎo)通。
14.?如權(quán)利要求12所述的車(chē)用多功能電源,其中在第一推挽電路用于將從高頻振蕩電路中抽取的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器使第一至第四增強(qiáng)型MOS晶體管關(guān)斷。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于上海汽車(chē)集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)上海汽車(chē)集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110453968.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類(lèi)似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
- 檢測(cè)涂層耐腐蝕失效的循環(huán)組合試驗(yàn)方法
- 一種試驗(yàn)報(bào)告及試驗(yàn)項(xiàng)目的配置處理方法
- 虛擬試驗(yàn)支撐平臺(tái)
- 一種油田污水處理用過(guò)濾材料試驗(yàn)裝置
- 一種油田污水處理用過(guò)濾材料試驗(yàn)裝置
- 實(shí)施機(jī)械的試驗(yàn)的試驗(yàn)系統(tǒng)
- 振動(dòng)試驗(yàn)室管理方法及系統(tǒng)
- 電氣試驗(yàn)裝置
- 奇數(shù)擋輸入軸扭矩疲勞試驗(yàn)方法及試驗(yàn)系統(tǒng)
- 試驗(yàn)異常監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)





