[發明專利]有機電致發光顯示裝置的陣列基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201110453864.5 | 申請日: | 2011-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102867839A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 崔熙東;田承峻 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;孫海龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示裝置 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于有機電致發光顯示裝置的陣列基板,所述陣列基板包括:
基板,所述基板包括顯示區域和非顯示區域,其中所述顯示區域包括像素區域,所述非顯示區域包括電源區域;
選通線和數據線,所述選通線和數據線之間具有中間絕緣層,并且彼此交叉以限定所述像素區域;
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管在所述像素區域的驅動區域中并包括多晶硅的半導體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極;
多條輔助線,所述多條輔助線在所述電源區域中,由與所述數據線相同的材料形成,并在與所述數據線相同的層上;
鈍化層,所述鈍化層被布置在所述薄膜晶體管上并由有機絕緣材料形成,其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區域中的所述多條輔助線中的一條輔助線的輔助線接觸孔,其中所述鈍化層覆蓋所述多條輔助線中的所述一條輔助線的端部和/或兩側;以及
第一電極和線連接圖案,所述第一電極和線連接圖案分別在所述像素區域中和所述電源區域中的所述鈍化層上,其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案接觸所述多條輔助線中的所述一條輔助線。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,所述陣列基板還包括:岸,所述岸與所述第一電極的邊緣交疊;以及間隔體,所述間隔體被選擇性地形成在所述岸上。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述鈍化層具有露出所述中間絕緣層和所述多條輔助線中的另一條輔助線的凹槽;其中密封圖案或釉圖案填入所述凹槽并接觸所述凹槽兩側的所述鈍化層。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述鈍化層包括感光丙烯或苯丙環丁烯中的一種。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,所述陣列基板還包括:
第一存儲電極,所述第一存儲電極由摻入了雜質的多晶硅形成,并與所述半導體層在相同的層上;
第二存儲電極,所述第二存儲電極被形成在所述柵絕緣層上、所述第一存儲電極上方;以及
第三存儲電極,所述第三存儲電極被形成在所述中間絕緣層上、所述第二存儲電極上方。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述半導體層包括:第一區域,所述第一區域對應于中心部分;以及第二區域,所述第二區域在所述第一區域的兩側,其中所述第二區域中包含雜質。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,所述陣列基板還包括電源線,所述電源線與所述數據線相間隔并與所述數據線相互平行。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,所述陣列基板還包括緩沖層,所述緩沖層在所述半導體層和整個所述基板之間。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其中所述輔助線和所述數據線各具有三層結構,所述三層結構包括第一層、第二層和第三層,其中所述第一層和第三層包括鈦、鉬以及鈦鉬合金中的一種,而所述第二層包括鋁、例如鋁釹的鋁合金、銅、以及銅合金中的一種。
10.根據權利要求1所述的陣列基板,其中各所述輔助線包括Vcc信號線、Vdd信號線、Vgh信號線、Vgl信號線或Vref信號線。
11.一種制造用于有機電致發光顯示裝置的陣列基板的方法,所述方法包括以下步驟:
制備基板,所述基板包括顯示區域和非顯示區域,其中所述顯示區域包括像素區域而所述非顯示區域包括電源區域;
形成選通線和數據線,所述選通線和所述數據線之間具有中間絕緣層,所述選通線和所述數據線彼此交叉以限定所述像素區域;
在所述像素區域的驅動區域中形成薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括多晶硅的半導體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極;
形成多條輔助線,所述輔助線在所述電源區域中,由與所述數據線相同的材料形成,并與所述數據線在相同的層上;
在所述薄膜晶體管上形成有機絕緣材料的鈍化層,其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區域中所述多條輔助線中的一條輔助線的輔助線接觸孔,其中所述鈍化層覆蓋所述多條輔助線中的所述一條輔助線的端部和/或兩側;以及
形成第一電極和線連接圖案,所述第一電極和線連接圖案分別在所述像素區域中的所述鈍化層上和在所述電源區域中的所述鈍化層上,其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案接觸所述多條輔助線中的所述一條輔助線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





