[發明專利]三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料的制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201110453408.0
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102557114A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 張龍;柳洋;董紅星
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C01G15/00
• 分類號: C01G15/00;G01N27/04
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料的制備方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

①取銦鹽溶液和丙三醇，放入反應釜的聚四氟乙烯內膽中攪拌形成均勻混合溶液，并在攪拌過程中滴加銦離子配體乙二胺，繼續攪拌，最后加入表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨，再次攪拌均勻后，將內膽密封放入不銹鋼反應釜中，在140～220℃反應6～24小時；所得產物經去離子水、乙醇反復清洗，經離心干燥，得到花狀空心多級結構氧化銦的前驅體；所述的銦鹽溶液的銦離子濃度為0.1～0.6mol/L，所述的無機銦鹽溶液和丙三醇的體積比為2∶17，所述的乙二胺與所述的銦離子的摩爾比為10∶1～30∶1；

②將所述的氧化銦前驅體在260℃以上的溫條件下煅燒30分鐘以上，得到三維花狀空心多級結構氧化銦基氣敏材料的粉末。

2.根據權利要求1所述的三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料的制備方法，其特征在于所述的銦鹽為氯化銦、硫酸銦或硝酸銦。

3.根據權利要求1或2所述的三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料的制備方法，其特征在于所述的三維花狀空心多級結構氧化銦基氣敏材料由大量自由、分立納米片自組裝而成，為空心花狀形貌，納米片厚度20～50nm，空心花狀結構尺寸為0.5～3μm。

4.利用權利要求1所述的方法制備的三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料制作氣敏傳感器的制備方法，特征在于步驟如下：

①取所述的三維空心多級結構氧化銦基氣敏材料經研磨后，加入適量松油醇調制成漿料，將該漿料均勻涂覆在帶有金漿電極的氧化鋁陶瓷管上，干燥后在600℃燒結2小時以上得到氣敏元件；

②取加熱絲穿入所述的氣敏元件的管芯中，然后將所述的氣敏元件的電極引線和加熱絲引線焊接在氣敏器件座上，經老化處理后形成旁熱式氣敏傳感器。