[發明專利]一種金屬介電層及其制作方法以及一種電路板有效
| 申請號： | 201110452554.1 | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103187384A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 陳建國;李天賀;賀冠中 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H05K1/11;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 介電層 及其 制作方法 以及 電路板 | ||
1.一種電路板，其特征在于，包括：
基板；
至少一個焊盤，通過所述焊盤將至少一個電路元件連接于其他電路；所述焊盤包括：
第一導電層和第二導電層；
壓線點，設置于所述第二導電層的上表面；
金屬介電層，位于所述第一導電層和所述第二導電層之間，其中，所述金屬介電層包括：
第一介電層，設置在所述第一導電層的上表面；
第一旋涂玻璃層，設置在所述第一氧化硅層的上表面，所述第一旋涂玻璃層為包括有砷的旋涂玻璃層；
第二介電層，位于所述第一旋涂玻璃層的上表面。
2.如權利要求1所述的電路板，其特征在于，所述第一旋涂玻璃層具體為：所述砷的能量為100-140千電子伏、劑量為1E15-1E16離子每平方厘米的旋涂玻璃層。
3.一種金屬介電層，其特征在于，包括：
第一介電層；
第一旋涂玻璃層，設置在所述第一介電層的上表面，所述第一旋涂玻璃層為包括有砷的旋涂玻璃層；
第二介電層，位于所述第一旋涂玻璃層的上表面。
4.如權利要求3所述的金屬介電層，其特征在于，所述第一旋涂玻璃層為包括有砷的旋涂玻璃層，具體為：
所述第一旋涂玻璃層中的砷的能量為：120千電子伏；以及
所述第一旋涂玻璃層中的砷的劑量為：為1E15-1E16離子每平方厘米。
5.一種金屬介電層制作方法，其特征在于，包括：
形成第一介電層；
在所述第一介電層的上表面，形成旋涂玻璃層；
向所述旋涂玻璃層中注入砷，形成第一旋涂玻璃層；
在所述第一旋涂玻璃層的上表面，形成第二介電層。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述向所述旋涂玻璃層中注入砷，具體為：
向所述旋涂玻璃層注入能量為120千電子伏、劑量為1E15-1E16離子每平方厘米的砷。
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