[發明專利]一種顯示裝置、TFT-LCD像素結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201110452477.X
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102650783A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 張彌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

1.一種TFT-LCD像素結構，包括：基板，所述基板上形成公共電極、柵極掃描線、柵電極、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源電極、漏電極、數據掃描線和鈍化層圖案，其特征在于，還包括第二透明電極層，所述第二透明電極層覆蓋在像素電極的邊緣；所述第二透明電極層通過相對設置在柵極掃描線上方的過孔與柵極掃描線連接，與像素電極形成存儲電容。

2.如權利要求1所述的TFT-LCD像素結構，其特征在于，所述公共電極上方覆蓋柵極絕緣層，所述柵極絕緣層的上方依次具有像素電極和鈍化層；所述過孔穿過所述柵極絕緣層和所述鈍化層；

3.如權利要求1所述的TFT-LCD像素結構，其特征在于，還包括第一透明電極，所述第一透明電極層與公共電極連接，與像素電極形成儲存電容。

4.如權利要求3所述的TFT-LCD像素結構，其特征在于，還包括擋光條，所述擋光條與所述公共電極和第一透明電極層相連接，其和公共電極具有相同的電壓。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括使用權利要求1-4任一項所述的TFT-LCD像素結構。

6.一種TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，包括：

步驟1：在基板上沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構圖工藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接；

步驟2：在完成步驟1的基板上沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜、金屬薄膜層和透明電極層，采用構圖工藝形成柵極絕緣層、有源層、數據掃描線、源電極、漏電極和像素電極；所述像素電極與步驟1中的公共電極形成存儲電容；

步驟3：在完成步驟2的基板上，沉積鈍化層，將位于柵極掃描線上方的柵極絕緣層和鈍化層形成過孔；

步驟4：在完成步驟3的基板上，沉積透明電極層，采用構圖工藝形成第二透明電極層，所述第二透明電極層穿過過孔與柵極掃描線連接，所述第二透明電極層通過柵極掃描線與像素電極形成存儲電容。

7.如權利要求6所述的TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟1中還包括形成擋光條，所述擋光條與公共電極和第一透明電極層連接，其具有與公共電極相同的電壓。

8.如權利要求6所述的TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟1具體包括：

步驟111：在基板上沉積透明電極層，采用構圖工藝后形成第一透明電極層；

步驟112：在完成步驟111的基板上沉積柵金屬薄膜，采用構圖工藝形成柵極掃描線、柵電極、公共電極；將步驟111中的第一透明電極層與公共電極連接。

9.如權利要求6所述的TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟1具體包括：

在基板上連續沉積透明電極層和柵金屬薄膜，采用構圖工藝形成第一透明電極層、柵極掃描線、柵電極和公共電極，所述第一透明電極層與公共電極連接。

10.如權利要求6所述的TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：

步驟211：在完成步驟1的基板上連續沉積柵極絕緣薄膜和有源層薄膜，采用構圖工藝形成柵極絕緣層和有源層；

步驟212：在完成步驟211的基板上沉積金屬薄膜層和透明電極層，形成數據掃描線、源電極、漏電極和像素電極，漏電極與像素電極相連接，所述像素電極與步驟1中的公共電極形成存儲電容。

11.如權利要求6所述的TFT-LCD像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：

步驟221：在完成步驟1的基板上連續沉積柵極絕緣薄膜、有源層薄膜和金屬薄膜層，采用構圖工藝形成柵極絕緣層、有源層、數據掃描線、源電極和漏電極；

步驟222：在完成步驟221的基板上沉積透明電極層，采用構圖工藝形成像素電極，所述像素電極與步驟1中的公共電極形成存儲電容。