[發明專利]半導體模塊

無效

• 申請號: 201110452137.7
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102610591A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 櫛野正彥;村上雅啟;天野義久;得能真一
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種半導體模塊，包括：

具有安裝在其上表面上的電子組件的襯底；

具有絕緣性質的封裝樹脂層，用于封裝在其上安裝電子組件的所述上表面；

具有導電性的外部屏蔽元件，用于覆蓋所述封裝樹脂層與所述襯底相對的一側；以及

連接部分，其被設置在所述封裝樹脂層內，用于電連接所述外部屏蔽元件和設置到所述襯底上的接地端子。

2.如權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，還包括凹入部分，其穿過所述外部屏蔽元件并到達所述封裝樹脂層的至少內部，

其中所述連接部分包括覆蓋了所述凹入部分的內圓周表面的內圓周部分，以及被設置為與所述接地端子相接觸的接觸部分。

3.如權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述襯底具有被設置在其下表面上的接地端子，以及

其中所述凹入部分穿過所述封裝樹脂層、所述襯底以及所述接地端子。

4.如權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述凹入部分穿過所述封裝樹脂層，以及

其中所述連接部分的所述接觸部分被形成為覆蓋所述凹入部分的底部表面，以使所述接觸部分被設置為與形成在所述襯底的所述上表面上的所述接地端子相接觸。

5.如權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述凹入部分被形成在所述電子組件上，以及

其中所述接觸部分被設置為接觸所述電子組件的導電部分，所述導電部分連接至所述接地端子。

6.如權利要求5所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述電子組件包括含有穿過硅的通孔的半導體器件。

7.如權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述接地端子被形成在所述襯底的所述上表面上，

其中所述襯底具有安裝在其上的導電元件，所述導電元件連接至所述接地端子且所述導電元件被豎直地設置在所述襯底的厚度方向，以及

其中所述接觸部分被設置為與所述導電元件相接觸。

8.如權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述外部屏蔽元件在平面形狀上小于所述襯底。

9.如權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述連接部分包括多個連接部分。

10.如權利要求9所述的半導體模塊，其特征在于：

其中所述多個連接部分被設置為至少位于所述襯底對角線位置的一對。