[發明專利]去除芯片上錫球的方法有效
| 申請號： | 201110451503.7 | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103187239A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王金成;張偉 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;汪洋 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 芯片 上錫球 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除芯片上錫球的方法，其特征在于，包括：
將其上設置有錫球的芯片放置在腐蝕液中浸泡，其中，所述腐蝕液是通過將濃度為70％的硝酸溶液與去離子水按1∶1的體積比配置而成的；
取出所述芯片并使用水進行沖洗；
將所述芯片放置在盛放有水的容器中進行超聲波震蕩清洗。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片在所述腐蝕液中的浸泡時間為10-15分鐘。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沖洗步驟的沖洗時間大于或等于30秒。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超聲波震蕩清洗的震蕩時間大于等于40秒。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述震蕩時間為1-2分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
