[發(fā)明專利]基板表面處理裝置及其方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110451448.1
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN103187337A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 張書省;蔡嘉雄;劉仕偉;茹振宗
• 申請（專利權(quán)）人: 均豪精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種基板表面處理裝置及其方法，特別是針對基板的單一表面進行處理的裝置及其方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)代科技產(chǎn)品中半導體設備的應用相當廣泛，尤其是通訊、電腦、網(wǎng)絡、光電相關(guān)等電子設備中，半導體的硅基板存在是不可或缺的，而隨著市場對這些電子產(chǎn)品的需求日益增加，如何快速、有效率的改良半導體的生產(chǎn)工藝并提供足供應付市場需求的半導體元件是各家廠商努力的目標。在一般半導體生產(chǎn)工藝中，會依硅基板應用所需的設計條件不同而工藝各有差異，其中有濕法化學蝕刻工藝，此種濕工藝有多種工藝上的應用，例如，光刻膠剝除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，濕法化學蝕刻的硬件設備包括用以進行主蝕刻反應(main?etch?process)、中介清洗(intermediary?wash)、漂洗(rinse)，及干燥(drying)等多個處理工藝。

而濕法蝕刻工藝中有一種蝕刻方式是將硅基板浸入蝕刻液中，使蝕刻液同時將硅基板的上下兩個表面同時進行蝕刻，另外一種蝕刻方式則是針對硅基板的單一個表面進行蝕刻工藝，且不對基板上除了欲蝕刻表面以外的面進行處理，為達成此目的，在工藝中蝕刻液只能觸及被指定蝕刻的表面，若非指定面的表面受蝕刻液沾染影響時，會影響到半導體元件的整體功能性，甚至可能會導致的部分范圍無法使用而必須放棄，所以硅基板進行單一個面的蝕刻工藝時，如何有效避免蝕刻液沾染波及非指定蝕刻的表面，成為業(yè)界一直關(guān)注的議題。

已知技術(shù)中，對硅基板單一個面進行蝕刻時避免非指定蝕刻面沾染到蝕刻液的方法有多種，有的技術(shù)是另附加保護層(如光刻膠或粘膠)于硅基板非指定蝕刻的面上，以避免工藝中侵蝕液的沾染，然而此法于蝕刻完成后必須多一道清除保護層的工藝，不僅增加工藝上的繁瑣，同時若清除不完全時還可能有殘膠而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保護層的過程中而使基板產(chǎn)生刮傷，十分不便。

有鑒于此，如何針對上述已知針對基板單一個面的蝕刻方法及裝置所存在的缺點進行研發(fā)改良，讓使用者能夠更方便使用且制作成本降到最低，實為相關(guān)業(yè)界所需努力研發(fā)的目標。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種基板表面處理裝置及其方法，藉由供液槽與傳送元件的位置設置使基板的下表面于傳送過程中可依序接觸由供液槽所涌出的處理液。

本發(fā)明一實施例的基板表面處理裝置，包括：多個傳送元件，用以于一預定方向傳送至少一基板；以及至少一供液槽，其分別間隔設置于傳送元件之間，而一處理液自供液槽涌溢出，使得基板于傳送過程中，基板的下表面可依序接觸處理液。

本發(fā)明另一實施例的基板表面處理方法，包括下列步驟：使用多個傳送元件于一預定方向傳送至少一基板；提供至少一供液槽，其間隔地設置于傳送元件間，其中供液槽的頂部為開放狀態(tài)；以及注入一處理液于供液槽內(nèi)使處理液涌溢出，使得基板于傳送過程中，基板的下表面可依序接觸處理液。

以下藉由具體實施例配合所附的附圖詳加說明，當更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點及其所達成的功效。

附圖說明

圖1為依據(jù)本發(fā)明一實施例的示意圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E為依據(jù)本發(fā)明一實施例的示意圖。

圖3為依據(jù)本發(fā)明一實施例的示意圖。

圖4為依據(jù)本發(fā)明一實施例的流程圖。

圖5為依據(jù)本發(fā)明一實施例的示意圖。

圖6為依據(jù)本發(fā)明一實施例的示意圖。

主要元件符號說明：

10?????????傳送元件

20?????????供液槽

201????????第一槽壁

202????????第二槽壁

203????????供液槽的頂部

22?????????處理液

30?????????基板

32?????????下表面

40?????????供液裝置

401????????加壓馬達

402????????輸送管路

403????????混合槽

50?????????承漏槽

501????????輸送管路

60?????????廠務端

A??????????預定方向

S10????????步驟

S20????????步驟

S30????????步驟

S40????????步驟

具體實施方式