[發明專利]一種采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法有效
| 申請號: | 201110450393.2 | 申請日: | 2011-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN102569506A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 夏建漢;班群;康凱;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
| 地址: | 528137 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 硅烷 制備 太陽能電池 金屬電極 方法 | ||
1.一種采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是含以下工序:選取晶體硅片,進行有機硅烷吸附在晶體硅片表面形成硅烷薄膜,接著采用激光局部燒蝕并去除晶體硅片表面的硅烷薄膜,并在激光燒蝕后的區域進行金屬電極沉積,最后除去非電極部位的硅烷薄膜,制備獲得太陽能電池的金屬電極。
2.根據權利要求1所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:?所述晶體硅片為單晶硅片或多晶硅片。
3.根據權利要求1或2所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:所述晶體硅片進行有機硅烷吸附前后經清洗處理。
4.根據權利要求3所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:清洗時采用的試劑包括乙醇、丙酮、三氯乙烯、松油醇、甲醇、己烷、辛烷、氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸氫鈉和碳酸鈉中的一種或幾種。
5.根據權利要求1所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:所述有機硅烷吸附采用浸漬方式或噴涂方式。
6.根據權利要求5所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:采用有機硅烷溶液進行有機硅烷吸附,所述有機硅烷溶液指將十二烷基三氯硅烷溶于己烷或辛烷中制成的有機硅烷溶液,所述十二烷基三氯硅烷與己烷或辛烷的體積比為(0.1~5):100。
7.根據權利要求6所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:所述有機硅烷吸附采用浸漬方式時,將晶體硅片浸入有機硅烷溶液中,在常溫和密閉條件下浸泡0.5~10小時。
8.根據權利要求1所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:金屬電極沉積時采用的電鍍液包括銀電鍍液、金電鍍液、鋁電鍍液、鎳電鍍液和銅電鍍液中的一種或幾種。
9.根據權利要求1所述的采用硅烷掩膜制備太陽能電池金屬電極的方法,其特征是:采用有機溶劑除去非電極部位的硅烷薄膜,所述有機溶劑包括己烷、辛烷、丙酮和三氯乙烯中的一種或幾種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





