[發明專利]一種硼鋁硅酸鹽玻璃基板及其制備方法

無效

• 申請號: 201110450220.0
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102515524A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 馬志斌;程秦川;郭萍莉
• 申請（專利權）人: 彩虹（張家港）平板顯示有限公司
• 主分類號: C03C3/095
• 分類號: C03C3/095;C03C3/093;C03C3/091;C03B17/06
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，按質量分數計，包括以下的組分：

57％～65％的氧化硅、13.8％～18.5％的氧化鋁、8％～15％的氧化硼、0～5％的氧化鎂、5％～10.5％的氧化鈣、0～6.5％的氧化鍶、0～5％的氧化鋇，0～1.5％的氧化鋅、0～1.0％的氧化錫和0～0.5％的氧化鈰，雜質含量小于0.2％。

2.如權利要求1所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，按質量分數計，包括以下的組分：

58％～63％的氧化硅、15％～16.5％的氧化鋁、8.8％～11％的氧化硼、1～3％的氧化鎂、5.85％～7％的氧化鈣、1～5％的氧化鍶、1～5％的氧化鋇，0.2～1.5％的氧化鋅、0.2～0.6％的氧化錫和0.20～0.5％的氧化鈰。

3.如權利要求1所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，按質量分數計，包括以下的組分：

59.5％～61.5％的氧化硅、15.5％～16.5％的氧化鋁、9.62％～9.95％的氧化硼、0.5～1.55％的氧化鎂、5.85％～6.95％的氧化鈣、2.55～4.25％的氧化鍶、2.45～3％的氧化鋇，0.35～1.15％的氧化鋅、0.10～0.25％的氧化錫和0.20～0.40％的氧化鈰。

4.如權利要求1所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，還包質量分數0～0.08％的氧化鋯，以及質量分數小于0.01％的二氧化鈦。

5.如權利要求1所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，以質量分數計，包含0.02～0.03％的氧化鋯和0.002％～0.01％的二氧化鈦。

6.如權利要求1～5中任何一項所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，氧化硅與氧化鋁的含量之和超過75％，氧化鋁與氧化硼的比例介于1.2～2.2之間，氧化鎂和氧化鈣含量之和介于5％～10％之間。

7.如權利要求1～5中任何一項所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，氧化鍶和氧化鋇含量之和介于0～8％之間，氧化錫和氧化鈰含量之和介于0～1.2％之間。

8.如權利要求7所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，氧化錫和氧化鈰的總和介于0.2～1.0％之間，氧化錫與氧化鈰的比例介于0.5～5.0之間。

9.如權利要求1所述的硼鋁硅酸鹽玻璃基板，其特征在于，所述的雜質中Fe₂O₃＜0.05％，SO₃＜0.03％，Cl＜0.03％；堿金屬氧化物含量的質量分數低于0.1％。

10.一種硼鋁硅酸鹽玻璃基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)按照以下質量比稱取各原料組分57％～65％的氧化硅、13.8％～18.5％的氧化鋁、8％～15％的氧化硼、0～5％的氧化鎂、5％～10.5％的氧化鈣、0～6.5％的氧化鍶、0～5％的氧化鋇，0～1.5％的氧化鋅、0～1.0％的氧化錫和0～0.5％的氧化鈰，各原料組分之和100％；

2)將各原料組分充分混合后，在1550℃～1650℃的溫度下熔化成玻璃液，再通過溢流下拉法成型為玻璃基板。