[發明專利]具有非線性電學特性的Au/Ge分形納米薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110449836.6
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102517548A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 陳志文;李全寶;陳琛;焦正;吳明紅
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;C23C14/18;B82Y40/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種具有非線性電學特性的Au/Ge分形納米薄膜的制備方法，其特征在于具有以下過程和步驟：

?a.參考熱蒸發公式：???????????????????????????????????????????????，本發明人設計設定了Au:Ge=1.66:1（摩爾比），根據該摩爾比制備Au和Ge分別為25和20納米的薄膜；將一定質量的高純Ge(純度99.9?wt.%)和高純Au(純度99.99?wt.%)分別放置于真空熱蒸發裝置中的鎢絲花籃上；襯底選擇單晶氯化鈉(100)晶面；在室溫下當真空度優于2?×10^-5?Torr時，在室溫條件下先蒸發半導體Ge，然后在保持真空度不變的條件下，后蒸發金屬Au，即可得到室溫下的Au/Ge雙層膜；

b.將室溫條件下制備的Au/Ge雙層膜置于真空爐中，在真空度優于2?×10^-5?Torr時，在120～210℃溫度范圍內將薄膜樣品分別真空退火30分鐘，獲得分形維數為1.653，1.756，1.781，1.878的分形納米薄膜；選擇120℃～210℃為真空退火的溫度范圍，可成功制備不同維數的分形納米薄膜材料；其中，最佳退火溫度為150℃；

c.對幾種不同形態特征：即不同分形維數的分形納米薄膜分別進行電壓-電流(V-I)性能測量；結果呈現：在120℃，180℃和210℃分別真空退火為30分鐘獲得的分形納米薄膜具有常規的歐姆特性，即：電壓(V)/電流(I)是定值；而在150℃真空退火為30分鐘獲得的分形納米薄膜具有反常的歐姆特性，即：dR/dI是負值，這種分形納米薄膜呈現非線性電學特性。

2.如權利要求1所述的一種具有非線性電學特性的Au/Ge分形納米薄膜的制備方法，其特征在于所述的熱蒸發公式：熱蒸發公式：，這里t是薄膜的厚度，m是Ge或Au的質量，r(=10厘米)為蒸發源到襯底的距離，ρ是Ge或Au的密度；當Au和Ge的摩爾配比一定，它的薄膜厚度之比也是固定的。