[發明專利]發動機用活塞環及其制造方法無效
| 申請號： | 201110449757.5 | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103016200A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 安正煜 | 申請（專利權）人： | 現代自動車株式會社 |
| 主分類號： | F02F5/00 | 分類號： | F02F5/00;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發動機 活塞環 及其 制造 方法 | ||
1.一種發動機用活塞環，包括：
涂覆在基礎材料表面上的Cr(鉻)涂層；和
涂覆在所述Cr涂層和所述基礎材料之上的最外層上的Si-DLC(硅摻雜類金剛石)涂層，所述Si-DLC層包括約3～10wt.％的Si。
2.根據權利要求1所述的活塞環，還包括：
涂覆在所述Cr涂層與所述Si-DLC涂層之間的CrN(氮化鉻)涂層。
3.根據權利要求1所述的活塞環，其中所述Si-DLC涂層具有0.1至10μm的厚度。
4.根據權利要求1所述的活塞環，其中所述Si均勻分布在所述Si-DLC涂層中。
5.根據權利要求1所述的活塞環，其中所述Si-DLC涂層的Si含量延從所述Si-DLC涂層的內部到外部的方向增加。
6.根據權利要求1所述的活塞環，其中通過碳化氣體(CxHy)與TMS(四甲基硅烷，Si(CH3)4)氣體之間的化學反應形成所述Si-DLC涂層。
7.根據權利要求1所述的活塞環，其中通過碳化氣體與HMDSO(六甲基二硅氧烷，O(Si(CH3)3)2)氣體之間的化學反應形成所述Si-DLC涂層。
8.根據權利要求1所述的活塞環，其中僅在與氣缸內壁接觸的所述基礎材料的外周上形成所述Cr涂層和所述Si-DLC涂層。
9.一種制造發動機用活塞環的方法，包括：
a)在活塞環的基礎材料上涂覆Cr涂層；和
b)通過碳化氣體(CxHy)與TMS氣體之間或碳化氣體與HMDSO氣體之間的化學反應在活塞環的所述Cr涂層之上涂覆Si-DLC涂層。
10.根據權利要求9所述的方法，還包括：
在a)，通過N2氣與濺射的Cr離子之間的化學反應涂覆氮化鉻(CrN)涂層，以在所述Si-DLC涂層與所述Cr涂層之間形成所述CrN涂層。
11.根據權利要求9所述的方法，其中在b)，調節所述TMS或所述HMDSO氣體的注入量，以使所述Si-DLC涂層的Si含量從所述Si-DLC涂層的內部向外部增加。
12.根據權利要求9所述的方法，其中在b)，所述Si-DLC涂層包括約3～10wt.％的Si。
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