[發明專利]一種用于設計構形樹的PCB板無效
| 申請號: | 201110449721.7 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102523681A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 黃惠芬;郭巍;劉詩韻 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 羅觀祥 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 設計 構形 pcb | ||
技術領域
本發明涉及電路板,具體是一種用于設計構形樹的PCB板。
背景技術
隨著電子技術的飛速發展,電子產品越來越來越趨向高速、寬帶、高靈敏度、高密集度和小型化,這種趨勢導致了電路板設計中電磁兼容問題的嚴重化,特別是電源和地線的電磁干擾問題,成為目前電磁兼容設計中急待解決的技術難題和系統工程。
傳統方法是通過加去耦電容來抑制電源線中存在的干擾,但是去耦電容在頻率比較高的情況下,效果并不理想。近年來,EBG結構被用于電源層來抑制高頻噪聲干擾,尤其是平面電磁帶隙結構易于制作,獲得了廣泛的研究。不過典型的EBG結構并未考慮電源層上的電壓降。
發明內容
本發明的目的在于針對現有技術的缺點和不足,提供一種用于設計構形樹的PCB板,本發明適用于樹狀PCB電源板設計,具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
本發明通過下述技術方案實現:
一種用于設計構形樹的PCB板,依次包括電源層、納米材料層、高介電常數介質層、地層構成。
所述電源層、地層為覆銅層。
所述納米材料層為高磁導率納米材料層。
所述高介電常數介質層為介電常數為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數介質層厚度為0.2mm~2mm。
所述覆銅層的厚度為0.035mm~0.07mm。
本發明適用于樹狀PCB電源板設計,具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
附圖說明
圖1是本發明用于設計構形樹的PCB結構示意圖;
圖2是2級“H”形構形樹的構造圖;
圖3是2級圓形構形樹的構造圖;
圖4為1級“H”形構形樹的構造圖;
圖5為2級“H”形構形樹電源層;
圖6為2級圓形構形樹電源層;
圖7為1級“H”形構形樹電源層;
具體實施方式
下面對本發明的具體實施方式作進一步詳細的說明,但本發明的實施方式不限于此。
如圖1所示,本發明用于設計構形樹的PCB板,依次包括電源層1、納米材料層2、高介電常數介質層3、地層構成4;所述電源層1、地層4為覆銅層;所述納米材料層2為高磁導率納米材料層。
所述高介電常數介質層3為介電常數為14000的鈦酸鋇。
所述高介電常數介質層3厚度為0.2mm~2mm。所述覆銅層的厚度為0.035mm~0.07mm。
電源層設計,需要先根據構形理論設計出構形樹,構形樹將電流均勻分配到電源板各處,解決高電源電壓降問題。然后在構形樹的基礎上設計出完整電源層。
圖2是2級“H”形構形樹的構造圖;
圖3是2級圓形構形樹的構造圖;
圖4為1級“H”形構形樹的構造圖;
圖5為2級“H”形構形樹電源層;
圖6為2級圓形構形樹電源層;
圖7為1級“H”形構形樹電源層;
如上所述,便可較好地實現本發明。上述實施例僅為本發明的較佳實施例,并非用來限定本發明的實施范圍;即凡依本發明內容所作的均等變化與修飾,都為本發明權利要求所要求保護的范圍所涵蓋。
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