[發明專利]防止金屬互連線上形成圈狀金屬殘留物的方法有效
| 申請號： | 201110449324.X | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103187357A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 呂淑瑞;欒廣慶 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;汪洋 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 金屬 互連 線上 形成 殘留物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止金屬互連線上形成圈狀金屬殘留物的方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
采用濺射法在所述半導體襯底上形成鋁金屬層，所述鋁金屬層用于形成最后一層金屬互連線，其中，形成所述鋁金屬層時的濺射溫度低于或等于250℃。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濺射溫度為220℃-250℃。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鋁金屬層時的功率為12-13kW。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鋁金屬層時反應腔室內的壓力為2000-2700mTorr。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作方法還包括對所述鋁金屬層進行刻蝕以形成所述金屬互連線。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濺射法為直流磁控濺射法。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
