[發明專利]一種光點位置檢測傳感器

無效

• 申請號: 201110449292.3
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102544185A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 秦明;張睿
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/068;G01B7/004
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 王鵬翔

1.一種光點位置檢測傳感器，其特征在于，包括依次設置的第一低阻半導體層(1)、高阻半導體層(2)、第二低阻半導體層(3)和絕緣抗反射保護層(4)；

所述第一低阻半導體層(1)與高阻半導體層(2)的導電類型相同；

所述高阻半導體層(2)與第二低阻半導體層(3)的導電類型相反形成半導體PN結，所述第二低阻半導體層(3)的摻雜濃度高于高阻半導體層(2)的摻雜濃度；

所述絕緣抗反射保護層(4)的表面設有四根相同的電極(5)，四根所述電極(5)圍成正方形有效光敏區域；

所述第一低阻半導體層(1)的表面設有金屬層(6)。

2.根據權利要求1所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，所述電極(5)與金屬層(6)之間的正常工作偏置電壓略小于半導體PN結的雪崩擊穿電壓。

3.根據權利要求1所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，所述第一低阻半導體層(1)、高阻半導體層(2)和第二低阻半導體層(3)采用的是普通硅片。

4.根據權利要求1至3任意一項所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，在所述第一低阻半導體層(1)表面通過外延法形成高阻半導體層(2)。

5.根據權利要求1至3任意一項所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，在所述高阻半導體層(2)上通過擴散法或者離子注入法形成第二低阻半導體層(3)。

6.根據權利要求1至3任意一項所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，在所述第二低阻半導體層(3)表面通過氧化和低壓化學氣相淀積形成絕緣抗反射保護層(4)。

7.根據權利要求6所述的光點位置檢測傳感器，其特征在于，所述絕緣抗反射保護層(4)包括氧化硅和氮化硅。