[發明專利]高純碲的制備方法有效
| 申請號: | 201110449272.6 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103183322A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 胡智向;盧金生;毛簡;文崇斌;李德官;高鵬飛 | 申請(專利權)人: | 廣東先導稀材股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B19/02 | 分類號: | C01B19/02;C30B13/00 |
| 代理公司: | 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 張向琨;劉春成 |
| 地址: | 511500 廣東省清*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高純 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種高純材料的制備方法,尤其涉及一種高純碲的制備方法。
背景技術
高純碲(Te)有5N、6N、7N三種規格,灰白色金屬光澤的結晶。六方晶格,密度6.24g/cm3,熔點450℃,沸點989℃。廣泛用于半導體材料,是制備太陽能電池、紅外探測材料、發光二極管、輻射探測器等的主要材料。由于即使是很微量(10-5級)雜質也會導致材料電性能變差,碲的純度是直接影響材料性能的重要因素。
目前,工業上一般采用電解精煉與真空蒸餾相結合的方法來制備高純碲,但利用該方法很難制得5N以上高純碲。
發明內容
針對背景技術中的不足,本發明的目的在于提供一種高純碲的制備方法,其能獲得高于現有技術純度的高純碲。
為了實現本發明的目的,本發明提供一種高純碲的制備方法,包括:步驟一,將碲原料放置于石英舟內;步驟二,將裝有碲原料的石英舟水平放入區熔料管內,并封閉區熔料管;步驟三,向封閉的區熔料管內穩定地通入還原氣體,并使還原氣體達到規定壓力;步驟四,在還原氣體氛圍下,使區熔車的區熔加熱管移至石英舟內的碲原料頭部;步驟五,使區熔加熱管加熱并熔化石英舟內的碲原料的頭部,以形成熔區,當熔區達到規定熔區寬度時,使區熔加熱管以規定速率進而使形成的達到規定熔區寬度的熔區自石英舟內的碲原料的頭部向尾部運動,以完成一次區熔作業;步驟六,當一次區熔作業完成后,區熔加熱管返回至石英舟內的碲原料的頭部并重復步驟五,以使區域作業次數達到預定次數;步驟七,完成規定重復次數的區熔作業后,將區熔加熱管停車并使區熔作業后的碲原料冷卻;步驟八,區熔作業后的碲原料冷卻后,將區熔作業后的碲原料的頭部和尾部各切除規定長度,以完成一次循環操作,將切除后剩余的區熔作業后的碲原料作為下一次循環操作處理的碲原料,以重復步驟一至步驟八,以使循環操作次數達到預定循環次數。
本發明的有益效果如下。
相比現有技術,本發明能獲得高于現有技術純度的碲,且沒有廢料、廢渣的產生,對環境無污染。
附圖說明
圖1為根據本發明的高純碲的制備設備的結構示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
1區熔料管????????2石英舟?????????3原料
4密封件??????????5區熔車?????????6真空機組
7氣體輸送管道????8尾氣處理裝置???51連接件
53區熔加熱管?????55傳動裝置??????551絲桿????553螺母
具體實施方式
下面結合附圖來說明根據本發明的高純碲的制備方法和設備。
首先說明根據本發明的高純碲的制備設備。
根據本發明的高純碲的制備設備包括:區熔料管1;石英舟2,放置于區熔料管1內,且用于盛放原料3;密封件4,用于將區熔料管1密封;區熔車5,用于對石英舟2內的原料3進行溫度處理;真空機組6,連通于區熔料管1,對區熔料管1進行抽真空;氣體輸送管道7,連通于區熔料管1,形成向區熔料管1通入還原氣體并將區熔料管1內的氣體排出的路徑;尾氣處理裝置8,連通于氣體輸送管道7并接收氣體輸送管道7輸出的氣體。在一個實施例中,區熔車5可包括:連接件51;區熔加熱管53,連接于連接件51;傳動裝置55連接于連接件51,從而傳動裝置555經由連接件51帶動區熔加熱管53運動。傳動裝置55可采用各種方式實現,在一種方式中,傳動裝置55包括絲桿551;以及螺母553,連接于連接件51,與絲桿551配合而進行螺紋傳動運動,從而帶動連接件51平移。傳動裝置55的運動由伺服電機(未示出)驅動。區熔加熱管53為多個且間隔布置,各區熔加熱管53由加熱電源(未示出)供電,從而實現各自的溫度控制,以實現對原料3的熔融形成區域控制。區熔加熱管53可采用電爐絲輻射加熱。密封件4可為密封法蘭。
下面說明根據本發明的高純碲的制備方法。
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