[發明專利]ITO圖形顯性消除工藝

無效

• 申請號: 201110448879.2
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102566844A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉錫鋼;王磊;許東東;黃衛華
• 申請（專利權）人: 深圳市力合光電傳感技術有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101
• 代理人: 呂曉蕾

技術領域：

本發明涉及一種ITO圖形顯性消除工藝，它屬于電子觸摸屏加工技術領域，特別是為了消除電容屏ITO?X/Y電極圖形，在反射光下圖形顯性明顯的技術。

背景技術：

ITO即氧化銦錫是所有電容技術觸摸屏都用到的主要材料，實際上電阻和電容技術觸摸屏的工作面就是ITO涂層針。由于ITO圖形視角明顯現象，即電容屏ITO?X/Y電極圖形，在反射光下圖形顯性明顯的問題，在加工生產電子觸摸屏時，需要使用ITO圖形顯性消除技術。對ITO圖形顯性消除技術方面，目前采用的方法多樣化，采用光學薄膜貼附在貼合反面，解決圖形顯性問題，具體操作方式：將ITO?Sensor即氧化銦觸摸屏的錫貼合面朝上，取光學薄膜均勻涂覆在ITO?Sensor非貼合面，通過光學反射效果，在視角方面，改變ITO圖形明顯程度，此種方式主要存在幾方面問題：1)增加客戶加工成本；2)貼膜過程，效率低且有一定的良率損失；3)透過率低；由于上述的原因，目前生產電子觸摸屏其整體產品成本性都有所影響，同時也影響到了最終產品的質量。

發明內容：

本發明的目的是提供一種加工成本低，良率損失少，可以保證產品品質的ITO圖形顯性消除工藝。

本發明的目的是這樣實現的：

一種ITO圖形顯性消除工藝，其特征在于它包括如下的步驟：

A：基板清洗

采用由氧化銦錫ITO+玻璃基板GLASS+氧化銦錫ITO+絕緣材料INS+鉬鋁鉬膜層MOALMO構成的基板，使用通用平板清洗設備依次進行如下的分段式清洗：滾刷刷洗、純水噴淋、超聲波清洗、純水噴淋、高壓噴淋、中壓噴淋、純水噴淋、末端純水噴淋；清洗的工藝參數為：噴淋壓力設置：1～1.8kg，帶速：1.5～3m/min；

B：涂光學膜層

采用通用涂膠裝置和刮涂+旋涂方式進行涂膠，工藝參數為：旋涂速度：700～800轉，旋涂時間：8～10S，主要目的使基板表面覆蓋一層光學膜層，膜厚控制在1.8～2.2um；光學膜層的材料為：有機高透明絕緣材料，其折射率為1.65～1.75；

C：IR烘烤

采用遂道式紫外線熱板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光學膜層內組成溶劑初步揮發，使光學材料表面初步硬化，工藝參數：IR烘烤溫度：110℃，烘烤時間為100-120秒；

D：曝光

采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板圖形根據客戶圖形要求制作，照射在基板上，曝光為平行光，可控波長I線365nm，工藝參數為：曝光量：150～300mj，基板和掩膜板的間隙，即GAP量：150-300um；

E：顯影

首先依次通過顯影噴淋段，純水噴淋段，高壓噴淋，中壓噴淋，純水噴淋，風干步驟使未曝光部分的光學材料去除，保留曝光部位光學材料；顯影工藝要求：顯影液濃度：0.7％氫氧化鉀KOH，顯影溫度：24℃，顯影時間：90-110秒；

F：固化

采用固化爐進行膜層硬化處理，使光學膜層充分硬化，組成溶濟充分揮發；工藝參數：固化溫度為220-240℃：固化時間為：40-60分鐘。

所述的ITO圖形顯性消除工藝各步驟中采用的具體工藝參數為：基板清洗：噴淋壓力設置：1kg，帶速：1.5m/min；涂光學膜層的工藝參數為：旋涂速度：700轉，旋涂時間：8秒，主要目的使基板表面覆蓋一層光學膜層，膜厚控制在1.8um，光學膜層的材料的折射率為1.65；IR烘烤的工藝參數：IR烘烤溫度：110℃，烘烤時間為100秒；曝光的工藝參數為：曝光量：150mj，基板和掩膜板的間隙，即GAP量：150um；顯影工藝要求：顯影液濃度：0.7％氫氧化鉀KOH，顯影溫度：24℃，顯影時間：90秒；工藝參數：固化溫度為220℃：固化時間為：40分鐘。

所述的ITO圖形顯性消除工藝，各步驟中采用的具體工藝參數為：基板清洗：噴淋壓力設置：1.8kg，帶速：3m/min；涂光學膜層的工藝參數為：旋涂速度：800轉，旋涂時間：10秒，主要目的使基板表面覆蓋一層光學膜層，膜厚控制在2.2um，光學膜層的材料的折射率為1.70；IR烘烤的工藝參數：IR烘烤溫度：110℃，烘烤時間為120秒；曝光的工藝參數為：曝光量：300mj，基板和掩膜板的間隙，即GAP量：300um；顯影工藝要求：顯影液濃度：0.7％氫氧化鉀KOH，顯影溫度：24℃，顯影時間：110秒；工藝參數：固化溫度為240℃：固化時間為：60分鐘。