[發明專利]一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環有效
| 申請號： | 201110448622.7 | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103187232A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 吳紫陽;邱達燕 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 晶片 背面 生成 聚合物 聚焦 | ||
1.一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其圍繞設置于一等離子體刻蝕室中的晶片和支撐所述晶片的基座的外周側，所述聚焦環包括一內圈環和一外圈環，所述內圈環延伸至晶片背面的邊緣之下，其特征在于：所述內圈環的表面為耐等離子體腐蝕的金屬氧化物，所述外圈環表面為半導體材料。
2.根據權利要求1所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：所述的聚焦環主體材料為碳化硅，所述的耐等離子體腐蝕的金屬氧化物為涂覆在聚焦環主體上的三氧化二釔、三氧化二鋁及三氟化鋰中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：所述的聚焦環主體材料為三氧化二釔，所述外圈環表面涂覆的半導體材料為碳化硅。
4.根據權利要求1所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：所述的聚焦環主體材料為三氧化二鋁，所述外圈環表面涂覆的半導體材料為硅。
5.根據權利要求1所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：所述的聚焦環包括兩種材料，所述內圈環材料為三氧化二釔，所述的外圈環材料為碳化硅。
6.根據權利要求1所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：所述的聚焦環包括兩種材料，所述的內圈環材料為三氧化二鋁，所述的外圈環材料為硅。
7.根據權利要求2所述的一種減少晶片背面生成聚合物的聚焦環，其特征在于：涂覆所述耐等離子體腐蝕的金屬氧化物的工藝為化學氣相沉積或噴涂工藝。
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