[發明專利]采用單環戊二烯基三烷氧基鉿和鋯前體通過原子層沉積制備薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110448392.4
• 申請日: 2008-09-10
• 公開（公告）號: CN103147062A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: P·N·黑斯;A·金斯里;宋福全;P·威廉姆斯;T·利斯;H·O·戴維斯;R·奧德拉
• 申請（專利權）人: 西格瑪-奧吉奇有限責任公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C07F7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊勇

1.通過原子層沉積形成含金屬的膜的方法，該方法包含將至少一種前體送遞到基材，其中所述至少一種前體在結構上對應于式II：?

其中：?

M是Hf或Zr；?

R是C₁-C₆-烷基；?

n是零、1、2、3、4或5；?

L是C₁-C₆-烷氧基。?

2.權利要求1的方法，其中?

M是Hf?

R是甲基、乙基或丙基；?

n是零、1或2；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

3.權利要求1的方法，其中?

M是Hf?

R是甲基或乙基；?

n是1或2；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

4.權利要求1的方法，其中?

M是Hf?

R是甲基或乙基；?

n是1；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

5.權利要求1的方法，其中?

M是Zr；?

R是甲基、乙基或丙基；?

n是零、1或2；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

6.權利要求1的方法，其中?

M是Zr；?

R是甲基或乙基；?

n是1或2；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

7.權利要求1的方法，其中?

M是Zr；?

R是甲基或乙基；?

n是1；和?

L選自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基組成的組。?

8.權利要求1的方法，其中所述至少一種在結構上對應于式II的前體選自由下列組成的組：?

(甲基環戊二烯基)Hf(OMe)₃；?

(乙基環戊二烯基)Hf(OMe)₃；?

(丙基環戊二烯基)Hf(OMe)₃；?

(甲基環戊二烯基)Hf(OEt)₃；?

(乙基環戊二烯基)Hf(OEt)₃；?

(丙基環戊二烯基)Hf(OEt)₃；?

(甲基環戊二烯基)Hf(OiPr)₃；?

(乙基環戊二烯基)Hf(OiPr)₃；?

(丙基環戊二烯基)Hf(OiPr)₃；?

(甲基環戊二烯基)Hf(OtBu)₃；?

(乙基環戊二烯基)Hf(OtBu)₃；?

(丙基環戊二烯基)Hf(OtBu)₃；?

(甲基環戊二烯基)Zr(OMe)₃；?

(乙基環戊二烯基)Zr(OMe)₃；?

(丙基環戊二烯基)Zr(OMe)₃；?

(甲基環戊二烯基)Zr(OEt)₃；?

(乙基環戊二烯基)Zr(OEt)₃；?

(丙基環戊二烯基)Zr(OEt)₃；?

(甲基環戊二烯基)Zr(OiPr)₃；?

(乙基環戊二烯基)Zr(OiPr)₃；?

(丙基環戊二烯基)Zr(OiPr)₃；?

(甲基環戊二烯基)Zr(OtBu)₃；?

(乙基環戊二烯基)Zr(OtBu)₃；和?

(丙基環戊二烯基)Zr(OtBu)₃。?

9.權利要求1的方法，其中所述至少一種在結構上對應于式II的前體選自由(甲基環戊二烯基)Hf(OtBu)₃和(甲基環戊二烯基)Zr(OtBu)₃組成的組。?