[發明專利]勢壘肖特基與金氧半場效晶體管的整合結構及制造方法

無效

• 申請號: 201110448093.0
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN102856363A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 戴嵩山;李柏賢;楊國良;廖顯皜
• 申請（專利權）人: 大中集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L27/07
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種溝槽接面勢壘肖特基及金氧半場效晶體管的整合結構，其特征在于，該結構包含一金氧半場效晶體管和一溝槽接面勢壘肖特基；

所述金氧半場效晶體管包括一源極電極，且該金氧半場效晶體管形成在一第一傳導型的半導體基板中；

所述溝槽接面勢壘肖特基形成于該第一傳導型的半導體基板中，并鄰近于該金氧半場效晶體管，其包含：

一第一溝槽，設在該第一傳導型的半導體基板上；

一第一上部平臺，鄰近該第一溝槽；

一肖特基二極管勢壘金屬，覆蓋在該第一溝槽的內部表面，并延伸至該第一上部平臺上；以及

一接觸金屬，覆蓋在該肖特基二極管勢壘金屬之上，其中該接觸金屬電性連結該源極電極。

2.如權利要求1所述的整合結構，其特征在于，該金氧半場效晶體管還進一步包含：

一溝槽開孔，設在該源極電極之中，且該溝槽開孔的內部表面覆蓋該接觸金屬，并通過該接觸金屬與該源極電極電性連結。

3.如權利要求1所述的整合結構，其特征在于，該溝槽接面勢壘肖特基還包含：

一區域，為一第二傳導型，并設置在該第一溝槽底部之下，且該第二傳導型與該第一傳導型的類型相反。

4.如權利要求1所述的整合結構，其特征在于，該溝槽接面勢壘肖特基還包含：

一第二溝槽，鄰近該第一上部平臺，其中該肖特基二極管勢壘金屬覆蓋延伸至該第二溝槽的內部表面。

5.如權利要求4所述的整合結構，其特征在于，該溝槽接面勢壘肖特基還包含了：

一第二上部平臺，鄰近該第二溝槽，其中該肖特基二極管勢壘金屬覆蓋延伸至該第二上部平臺之上。

6.如權利要求3所述的整合結構，其特征在于，該第一傳導型為n型，該第二傳導型為p型。

7.如權利要求3所述的整合結構，其特征在于，該第一傳導型為p型，該第二傳導型為n型。

8.如權利要求3所述的整合結構，其特征在于，該第二傳導型根據一預定濃度值以使該區域阻斷一漏電流。

9.如權利要求8所述的整合結構，其特征在于，該第一溝槽具有兩個相對的邊墻，該漏電流分別來自該兩個邊墻，且從該兩個邊墻的相反側流經該第一溝槽底部之下。

10.如權利要求1所述的整合結構，其特征在于，該溝槽接面勢壘肖特基還包含：

一絕緣層，介于該肖特基二極管勢壘金屬以及該第一上部平臺之間。

11.如權利要求10所述的整合結構，其特征在于，該絕緣層包含氧化物。

12.一種整合溝槽接面勢壘肖特基及金氧半場效晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包含了以下的工藝步驟：

a.在一第一傳導型的半導體基板中形成一金氧半場效晶體管，該金氧半場效晶體管包含有一源極電極；

b.使一溝槽接面勢壘肖特基形成于該第一傳導型的半導體基板中，且鄰近于該金氧半場效晶體管，所述步驟b包含了下列步驟：

b1.在該第一傳導型的半導體基板上設置至少一溝槽及至少一上部平臺，且該至少一上部平臺鄰近該至少一溝槽；

b2.覆蓋一肖特基二極管勢壘金屬在該至少一溝槽的內部表面，且使該肖特基二極管勢壘金屬延伸覆蓋在該至少一上部平臺上；以及

c.形成一接觸金屬覆蓋在該肖特基二極管勢壘金屬之上，且該接觸金屬電性連結該源極電極。

13.如權利要求12所述的制作方法，其特征在于，該步驟c還包含：

在該源極電極之中設一溝槽開孔，且使該接觸金屬覆蓋在該溝槽開孔的內部表面，其中該溝槽開孔通過該接觸金屬與該源極電極電性連結。

14.如權利要求12所述的制作方法，其特征在于，該步驟b1還包含以下步驟：

b11.在該溝槽的底部之下形成一區域，且該區域為一第二傳導型，且該第二傳導型與該第一傳導型的類型相反。

15.如權利要求14所述的制作方法，其特征在于，該區域使用離子布植制程形成。

16.如權利要求12所述的制作方法，其特征在于，該步驟b1還包含了：

在設置該至少一溝槽之前，形成一絕緣層在該第一傳導型的半導體基板之上。

17.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于，該步驟b1還包含了：

在設置該至少一溝槽之后，將該絕緣層從該至少一上部平臺之上移除。