[發明專利]一種MBE同質外延生長SrTiO3薄膜的方法有效
| 申請號： | 201110447762.2 | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN102492985A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 楊芳;汪志明;馮加貴;郭建東 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | C30B25/16 | 分類號： | C30B25/16;C30B25/20;C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mbe 同質 外延 生長 srtio sub 薄膜 方法 | ||
1.一種MBE同質外延生長SrTiO3薄膜的方法，包括：
1)在氧氣氛中于SrTiO3襯底的(110)面上共沉積Ti和Sr，同時對樣品進行反射式高能電子衍射的原位實時監測；
2)根據反射式高能電子衍射的特征衍射條紋的圖案的變化來調整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重構始終圍繞SrTiO3襯底表面的重構進行轉換。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述特征衍射條紋表征SrTiO3薄膜表面的重構。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述特征衍射條紋為[001]方向或[1-10]方向的衍射條紋。
4.根據權利要求1所述的方法，其中步驟2)中，通過控制Sr源擋板和Ti源擋板之一的開與關來調整Sr束流和Ti束流的比例。
5.根據權利要求1所述的方法，其中步驟2)中，通過控制Sr源和Ti源的溫度來調整Sr束流和Ti束流的比例。
6.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟1)中，使Sr束流快于Ti束流，Sr束流與Ti束流的比例在1.5至3之間。
7.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟1)中，使Ti束流快于Sr束流，Ti束流與Sr束流的比例在1.5至3之間。
8.根據權利要求4所述的方法，其中在步驟1)中，當控制Sr源擋板的開與關來調整Sr束流和Ti束流的比例時，使Sr束流快于Ti束流。
9.根據權利要求4所述的方法，其中在步驟1)中，當控制Ti源擋板的開與關來調整Sr束流和Ti束流的比例時，使Ti束流快于Sr束流。
10.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟2)中，如果在(4×1)重構的襯底表面上生長SrTiO3薄膜，則使薄膜表面的重構以(4×1)重構-(5×1)重構-(4×1)重構-(2×8)重構-(4×1)重構-(5×1)的順序轉換。
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