[發明專利]一種實現同步高頻調制的方法及裝置無效
| 申請號： | 201110447671.9 | 申請日： | 2011-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102427251A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 鄧均平 | 申請（專利權）人： | 東莞市凱登能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H02J3/38 | 分類號： | H02J3/38;H02M7/497 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省東莞市長安鎮新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 實現 同步 高頻 調制 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種實現同步高頻調制的方法，其特征在于，包括：
S1.將逆變器產生的產流電整流成半周波的第一交流電；
S2.生成與所述的第一交流電相同頻率的半周波的第二交流電；
S3.將所述的第一交流電與第二交流電合成第三交流電輸出至電網。
2.根據權利要求1所述的實現同步高頻調制的方法，其特征在于，所述的頻率范圍為80Hz～120Hz。
3.根據權利要求2所述的實現同步高頻調制的方法，其特征在于，所述的頻率為100Hz。
4.根據權利要求1所述的實現同步高頻調制的方法，其特征在于，所述的合成為MOSFET全橋合成。
5.一種實現同步高頻調制的裝置，用于實現權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
交流電整流單元，用于將逆變器產生的產流電整流成半周波的第一交流電；
交流電生成單元，用于生成與所述的第一交流電相同頻率的半周波的第二交流電；
交流電合成單元，與所述的交流電整流單元及交流電生成單元相連，用于將所述的第一交流電與第二交流電合成第三交流電輸出至電網。
6.根據權利要求5所述的實現同步高頻調制的裝置，其特征在于，所述的頻率范圍為80Hz～120Hz。
7.根據權利要求6所述的實現同步高頻調制的裝置，其特征在于，所述的頻率為100Hz。
8.根據權利要求5所述的實現同步高頻調制的裝置，其特征在于，所述的合成為MOSFET全橋合成。
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