[發明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201110447595.1 | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103187277A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 隋運奇;韓秋華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極結構，且在所述柵極結構的兩側形成有緊靠柵極結構的側壁結構；
在所述半導體襯底上形成一犧牲氧化物層，以覆蓋所述柵極結構和所述側壁結構；
蝕刻所述犧牲氧化物層，以在所述側壁結構上形成一氧化物側壁；
在所述半導體襯底的源/漏區中形成碗狀凹槽；
蝕刻所述碗狀凹槽，以形成∑狀凹槽；
去除所述氧化物側壁，并在所述∑狀凹槽中形成嵌入式鍺硅層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成碗狀凹槽的過程包括：先對所述半導體襯底的源/漏區進行第一蝕刻以形成一凹槽，然后對所述凹槽進行第二蝕刻。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蝕刻為采用干法蝕刻工藝的縱向蝕刻。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻為采用干法蝕刻工藝的各向同性蝕刻。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述側壁結構的材料為氮化硅。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述犧牲氧化物層。
7.根據權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述犧牲氧化物層的材料為HARP或LTO。
8.根據權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述犧牲氧化物層的厚度為30-100埃。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用各向異性的干法蝕刻工藝蝕刻所述犧牲氧化物層。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述碗狀凹槽的深度為300-500埃。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成∑狀凹槽的蝕刻為濕法蝕刻。
12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述∑狀凹槽的深度大于700埃。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝去除所述氧化物側壁。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的蝕刻劑為稀釋的氫氟酸。
15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生長工藝形成所述嵌入式鍺硅層。
16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
