[發明專利]一種白光LED芯片制造方法及其產品

有效

• 申請號: 201110447287.9
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN103187488A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 王懷兵;吳思;王輝;孔俊杰;王勇;徐金雄
• 申請（專利權）人: 蘇州新納晶光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38;H01L33/50
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

1.一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在襯底上生長完整的LED外延結構：在藍寶石襯底上利用有機化學氣相沉積的方法依次外延生長N型電極接觸層，發光有源區，P型電極接觸層；

步驟二、制作N型電極區：利用光刻膠或介質膜作掩膜，用離子刻蝕的方法在P-GaN上將設計的N型接觸區域和分割區域刻蝕至N型接觸電極區；

步驟三、制作透明導電層：用光刻和蒸鍍的方法在P-GaN表面制作透明導電層，并在400℃～600℃時，退火10～30分鐘；

步驟四、制作電極：利用光刻膠作掩膜，蒸鍍金屬，剝離之后形成P型歐姆接觸電極和N型歐姆接觸電極；

步驟五、制作圍壩：在步驟四的P型和N型接觸電極周圍形成內圍壩，在芯片外框形成外圍壩；

步驟六、涂覆熒光粉：將熒光粉粉末與硅膠或環氧樹脂按比例混合，經過脫泡處理，制成粉漿，在步驟五的芯片的內外圍壩之間涂敷粉漿；

步驟七、分割芯片：將經過步驟六涂覆熒光粉的基板背面減薄，用劃片和裂片的方法將芯片分割成獨立單元。

2.根據權利要求1所述的一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于：所述步驟四中制作圍壩的方法為光刻、離子刻蝕、濕法腐蝕、絲網印刷中的任意一種。

3.根據權利要求2所述的一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于：所述內、外圍壩的材料為光刻膠、SiO₂、SiNx中的任意一種。

4.根據權利要求3所述的一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于：所述內、外圍壩的厚度為10um～50um，高度為100?um～500um。

5.根據權利要求1所述的一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于：所述步驟六中的熒光粉為YAG熒光粉、TAG熒光粉或BOSE熒光粉中的一種或一種以上的混合。

6.根據權利要求1所述的一種白光LED芯片的制造方法，其特征在于：所述步驟六中粉漿的涂敷方法為滴灌、旋涂或噴涂的其中的任意一種。

7.根據權利要求1-6所述的任意一種由白光LED芯片制造方法所得的白光芯片，所述芯片包括依次形成在生產襯底上的外延層、透明導電層、鈍化層，所述的外延層包括依次形成的N層、量子阱層和P層，所述透明導電層覆蓋所述P層，其特征在于：所述芯片的N層、P層的P型歐姆接觸電極和N型歐姆接觸電極周圍設置有內圍壩，所述芯片的外框四周設置有外圍壩。