[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110446840.7 | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN102522465A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃少華;吳志強 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 制作方法 | ||
1.發(fā)光二極管的制作方法，包括如下步驟：
提供一藍(lán)寶石生長襯底，在其正面上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu),?其由下而上包含第二半導(dǎo)體層,?有源層以及第一半導(dǎo)體層；
對所述生長襯底進行減薄拋光，在其背面上形成第一保護層；?
在前述生長襯底背面進行激光圖案劃痕；
在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的外表面上形成第二保護層；
對生長襯底進行濕法蝕刻，形成圖案結(jié)構(gòu)；
去除第一及第二保護層；
在第一半導(dǎo)體層上形成第一電極，在第二半導(dǎo)體層上形成第二電極；
提供一支撐基板，將第一電極與第二電極采用覆晶封裝于支撐基板上,?完成發(fā)光二級管的制程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體層為p型氮化鎵基半導(dǎo)體，第二半導(dǎo)體層為n型氮化鎵基半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一及第二保護層材料選用?SiO2、SiNx、Ni中的一種或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述激光圖案劃痕深度小于或等于減薄后之藍(lán)寶石襯底厚度的1/4。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻的溫度范圍為150℃-350℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻為H2SO4、H3PO4、KOH中的一種或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻對藍(lán)寶石襯底進行非等向性蝕刻，形成具有斜邊的圖案結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻針對藍(lán)寶石生長襯底C?面進行蝕刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻沿著藍(lán)寶石生長襯底結(jié)晶面{11-2k}方向進行蝕刻,?其中k隨著蝕刻深度及角度改變,?其k值介于2-5之間，且為整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一電極及第二電極的材料選用Ni、Al、Ag、Cr、Pt、Au、AuSn、AgSn、AgSnCu中的一種或其組合。
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