[發明專利]一種單晶色斑片返工方法無效
| 申請號: | 201110446728.3 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102522458A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 侯為來;王衛軍;王慶錢 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314206 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶色斑片 返工 方法 | ||
1.一種單晶色斑片返工方法,其工藝步驟如下:
(1)將色斑片分選出來,裝片,置于不通源的擴散爐中,進行高溫處理;
(2)將高溫處理后的硅片放入去離子水中在常溫下進行超聲波清洗或堿洗處理;
(3)將清洗后的硅片置于一堿和IPA的混合溶液中,進行制絨;
(4)將制絨后的硅片進行噴淋,然后置于氫氟酸和鹽酸的混合溶液中進行酸洗處理,并依次進行漂洗,甩干處理。
2.根據權利要求1中所述的一種單晶色斑片返工方法,其特征在于:步驟
(1)中高溫處理的溫度為830±0.5℃高溫處理時間為5~10min。
3.根據權利要求1中所述的一種單晶色斑片返工方法,其特征在于:步驟
(2)中超聲波清洗的頻率是80KHZ,功率是1800W,清洗時間0~8min。
4.根據權利要求1中所述的一種單晶色斑片返工方法,其特征在于:步驟
(3)中堿和IPA的混合液中,堿的質量分數為0.9~1.2wt%,IPA的體積分數為5.2~6.8%,制絨時間為15~18min,制絨槽的溫度范圍80±2℃。
5.根據權利要求1中所述的一種單晶色斑片返工方法,其特征在于:步驟(4)中的酸洗采用的是氫氟酸、鹽酸和水的混合液,其中氫氟酸的體積分數為0~20%,鹽酸的體積分數為0~40%,水的體積分數為40%-100%,時間為0~5min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





