[發(fā)明專利]高頻信號傳輸裝置、高頻信號傳輸系統(tǒng)和基站

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110446502.3
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN102610973A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蒲濤;何平華;范一鵬;孫德文
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01R24/40
• 分類號: H01R24/40;H01R13/40;H01R13/02;H01R13/648
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種高頻信號傳輸裝置，其特征在于，包括：至少一對可插拔連接的第一器件和第二器件；所述第一器件包括第一內(nèi)導(dǎo)體和第一外導(dǎo)體，所述第二器件包括第二內(nèi)導(dǎo)體和第二外導(dǎo)體；

所述第一內(nèi)導(dǎo)體和所述第二內(nèi)導(dǎo)體對應(yīng)設(shè)置，所述第一內(nèi)導(dǎo)體和所述第二內(nèi)導(dǎo)體之間設(shè)有第一絕緣介質(zhì)，以使所述第一內(nèi)導(dǎo)體和所述第二內(nèi)導(dǎo)體構(gòu)成用于傳輸高頻信號的第一耦合結(jié)構(gòu)；所述第一外導(dǎo)體和所述第二外導(dǎo)體對應(yīng)設(shè)置，所述第一外導(dǎo)體和所述第二外導(dǎo)體之間設(shè)有第二絕緣介質(zhì)，以使所述第一外導(dǎo)體和所述第二外導(dǎo)體構(gòu)成用于傳輸高頻信號的第二耦合結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一器件還包括第一接地層，所述第一外導(dǎo)體與所述第一接地層連接；所述第二器件還包括第二接地層，所述第二外導(dǎo)體與所述第二接地層連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一內(nèi)導(dǎo)體與所述第一接地層或第一外導(dǎo)體之間通過第三絕緣介質(zhì)連接，以使所述第一內(nèi)導(dǎo)體和所述第一外導(dǎo)體形成第一傳輸線；和/或，所述第二內(nèi)導(dǎo)體與所述第二接地層或第二外導(dǎo)體之間通過第四絕緣介質(zhì)連接，以使所述第二內(nèi)導(dǎo)體和所述第二外導(dǎo)體之間形成第二傳輸線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)設(shè)置在所述第一內(nèi)導(dǎo)體上，且所述第一絕緣介質(zhì)中開設(shè)至少一個孔槽，所述第二內(nèi)導(dǎo)體上設(shè)有至少一個針，所述針被包裹于所述孔槽中。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一外導(dǎo)體和所述第一接地層連接形成平板結(jié)構(gòu)；

所述第二接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第二外導(dǎo)體設(shè)置在所述第二接地層上，且所述第二外導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)并圍設(shè)在所述第二內(nèi)導(dǎo)體外圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第二絕緣介質(zhì)設(shè)置在所述第一外導(dǎo)體中面向所述第二外導(dǎo)體的表面上、且與所述第二外導(dǎo)體對應(yīng)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第一外導(dǎo)體設(shè)置在所述第一接地層上、且所述第一外導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)；

所述第二接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第二外導(dǎo)體設(shè)置在所述第二接地層上，且所述第二外導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)并圍設(shè)在所述第二內(nèi)導(dǎo)體外圍；

所述第一器件和所述第二器件插接時，所述第一外導(dǎo)體圍設(shè)在所述第二外導(dǎo)體的外圍，或者，所述第二外導(dǎo)體圍設(shè)在所述第一外導(dǎo)體的外圍。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第一外導(dǎo)體設(shè)置在所述第一接地層上、且所述第一外導(dǎo)體呈雙層套筒結(jié)構(gòu)；

所述第二接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第二外導(dǎo)體設(shè)置在所述第二接地層上，且所述第二外導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)、圍設(shè)在所述第二內(nèi)導(dǎo)體外圍；所述第一器件和所述第二器件插接時，所述第二外導(dǎo)體位于所述第一外導(dǎo)體所呈的雙層套筒之間；

或者，所述第一接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第一外導(dǎo)體設(shè)置在所述第一接地層上、且所述第一外導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)；所述第二接地層為平板結(jié)構(gòu)，所述第二外導(dǎo)體設(shè)置在所述第二接地層上，且所述第二外導(dǎo)體呈雙層套筒結(jié)構(gòu)、圍設(shè)在所述第二內(nèi)導(dǎo)體外圍；所述第一器件和所述第二器件插接時，所述第一外導(dǎo)體位于所述第二外導(dǎo)體所呈的雙層套筒之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì)為圓柱體、且設(shè)置在所述第一內(nèi)導(dǎo)體上，所述第二內(nèi)導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)；所述第一器件和所述第二器件插接時，所述第二內(nèi)導(dǎo)體圍設(shè)在所述第一絕緣介質(zhì)外圍。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第二內(nèi)導(dǎo)體靠近第一內(nèi)導(dǎo)體的一端呈套筒結(jié)構(gòu)，所述第一內(nèi)導(dǎo)體靠近第二內(nèi)導(dǎo)體的一端為外徑與所述第二內(nèi)導(dǎo)體呈套筒結(jié)構(gòu)的一端的內(nèi)徑尺寸相當(dāng)?shù)膱A柱體、且所述第一絕緣介質(zhì)包裹在所述圓柱體外圍；所述第一器件和所述第二器件插接時，所述第二內(nèi)導(dǎo)體圍設(shè)在所述第一絕緣介質(zhì)外圍。

11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高頻信號傳輸裝置，其特征在于，所述第一外導(dǎo)體和所述第一接地層連接形成平板結(jié)構(gòu)，所述第二外導(dǎo)體和所述第二接地層連接形成平板結(jié)構(gòu)，所述第二內(nèi)導(dǎo)體所呈的套筒側(cè)面邊緣與所述第二外導(dǎo)體和所述第二接地層連接形成的平板結(jié)構(gòu)連接。