[發明專利]真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝及熔煉工藝無效
| 申請號: | 201110446366.8 | 申請日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102560136A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 王懷柳;翟信杰;陳鑫 | 申請(專利權)人: | 攀鋼集團江油長城特殊鋼有限公司 |
| 主分類號: | C22B9/20 | 分類號: | C22B9/20 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鴻禧 |
| 地址: | 621701 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 電弧爐 熔煉 工藝 | ||
1.一種真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝,其特征在于,使自耗電極緩慢下降并且在自耗電極與結晶器底座之間引燃電弧,然后立即關閉電弧爐的進料開關,使自耗電極停止下降以保持電弧穩定,待所述結晶器底座上形成熔池后,打開進料開關進行正常熔煉。
2.根據權利要求1所述的真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝,其特征在于,所述熔煉起弧工藝還包括,在引燃電弧之前沿所述自耗電極和結晶器底座之間的間隙填入引弧劑,密封電弧爐并且抽真空。
3.根據權利要求2所述的真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝,其特征在于,所述引弧劑的粒徑為20mm~30mm。
4.根據權利要求1所述的真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝,其特征在于,所述熔煉起弧工藝還包括:在自耗電極緩慢下降之前,控制電弧爐的真空度和真空泄漏率達到熔煉工藝要求,控制自耗電極的下端面與結晶器底座之間的間距為50mm~70mm。
5.根據權利要求1所述的真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝,其特征在于,所述熔煉起弧工藝還包括,在保持電弧穩定時按預設的熔煉工藝增大熔煉電流。
6.一種真空自耗電弧爐的熔煉工藝,所述工藝順次包括起弧階段、正常熔煉階段和頭部補縮階段,其特征在于,所述起弧階段采用如權利要求1至5中任意一項所述的真空自耗電弧爐的熔煉起弧工藝來實現。
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