[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

無效

• 申請號: 201110446256.1
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN102543685A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 德丸勝;山內俊和
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

支持構件，對在上表面具有被處理膜的基體材料進行支持；

噴射噴嘴，噴出用于處理所述被處理膜的藥液；

噴嘴移動機構，使所述噴射噴嘴相對于所述支持構件在高度方向以及水平方向分別相對移動；

旋轉驅動部，使所述基體材料旋轉；

噴嘴移動控制部，對所述噴射噴嘴移動機構的動作進行控制；?

噴出控制部，從所述噴射噴嘴朝向所述被處理膜噴出所述藥液；以及

旋轉控制部，對所述旋轉驅動部的動作進行控制，

所述噴嘴移動機構具有：

水平移動機構，使所述噴射噴嘴從比所述基體材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基體材料的方向水平移動到比所述基體材料的外緣部更靠外側的第二上方位置；以及

升降機構，使所述噴射噴嘴從所述第二上方位置向比該第二上方位置低并且比所述基體材料的位置高的下方位置下降，

在所述噴射噴嘴向所述下方位置移動之后，所述水平移動機構使所述噴射噴嘴從該下方位置水平移動到所述基體材料的正上方的噴出位置。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述旋轉驅動部在所述噴射噴嘴移動到所述下方位置之前不使所述基體材料旋轉，在所述噴射噴嘴從所述第二上方位置到達所述下方位置之后使所述基體材料開始旋轉。

3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述噴射噴嘴從所述第二上方位置到達所述下方位置之后，所述旋轉驅動部使所述基體材料開始旋轉。

4.如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

在比所述噴射噴嘴到達所述噴出位置的預定時刻提前了偏移時間的時刻，所述噴出控制部使所述藥液開始從所述噴射噴嘴噴出。

5.如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述噴射噴嘴從所述下方位置移動到所述噴出位置之后，所述旋轉驅動部使所述基體材料開始旋轉。

6.如權利要求1至5的任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

還具有藥液限制構件，該藥液限制構件具有朝向所述基體材料的相反側的方向的傾斜面，

所述第一下方位置設定在所述傾斜面的正上方。

7.如權利要求1至6的任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述基體材料的轉速達到預定的目標轉速之后，所述噴出控制部使所述藥液從所述噴射噴嘴朝向所述被處理膜噴出。

8.如權利要求1至7的任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述升降機構使所述噴射噴嘴從比所述基體材料的外緣部更靠外側的待機位置向所述第一上方位置上升。

9.如權利要求1至8的任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

還具有包圍所述基體材料的外緣部的環狀構件，

所述環狀構件具有比所述待機位置高并且比所述第一上方位置低的上端。

10.如權利要求1至9的任意一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述被處理膜是實施了曝光處理的感光性樹脂膜，

所述藥液是使所述感光性樹脂膜的曝光部或者非曝光部溶解的顯影液。

11.如權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基體材料是半導體晶片。

12.一種基板處理裝置中的基板處理方法，該基板處理裝置具有：支持構件，對在上表面具有被處理膜的基體材料進行支持；噴射噴嘴，噴出用于處理所述被處理膜的藥液；噴嘴移動機構，使所述噴射噴嘴相對于所述支持構件在高度方向以及水平方向相對移動；旋轉驅動部，使所述基體材料旋轉，該基板處理方法的特征在于，具有如下步驟：

使所述噴嘴移動機構將所述噴射噴嘴從比所述基體材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基體材料的方向水平移動到比所述基體材料的外緣部更靠外側的第二上方位置；

使所述噴嘴移動機構將所述噴射噴嘴從所述第二上方位置向比該第二上方位置低并且比所述基體材料的位置高的下方位置下降；

在所述噴射噴嘴向所述下方位置移動之后，使所述噴嘴移動機構將所述噴射噴嘴從該下方位置水平移動到所述基體材料的正上方的噴出位置。