[發明專利]向半導體存儲裝置的數據的寫入方法以及半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201110446167.7
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN102543191A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 佐伯勝利
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種向半導體存儲裝置的數據的寫入方法，該半導體存儲裝置在多個存儲單元內具有主存儲區域和存儲用于對所述主存儲區域的主數據進行判定的基準數據的副存儲區域并且用于在所述副存儲區域寫入所述基準數據，所述存儲單元在夾著溝道區域設置第一雜質區域以及第二雜質區域的半導體基板上具有柵極電極，并且在所述第一雜質區域與所述柵極電極之間具有第一電荷蓄積部、在所述第二雜質區域和所述柵極電極之間具有第二電荷蓄積部，其特征在于，具有：

第一寫入步驟，對所述第一雜質區域以及所述柵極電極施加正電壓，對所述第二雜質區域施加比所述正電壓低的電壓，在所述第一電荷蓄積部蓄積電荷；

第二寫入步驟，對所述第二雜質區域以及所述柵極電極施加正電壓，對所述第一雜質區域施加比所述正電壓低的電壓，在所述第二電荷蓄積部蓄積電荷。

2.如權利要求1所述的寫入方法，其特征在于，具有：

判定步驟，在所述第一以及第二寫入步驟后，對在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量進行測定，判定在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量的測定值是否為預定值以上；

重復步驟，在所述判定步驟中判定為在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量的測定值小于所述預定值的情況下，重復執行所述第一以及第二寫入步驟。

3.如權利要求2所述的寫入方法，其特征在于，

在所述重復步驟中，在所述第一寫入步驟后對在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量進行測定，判定在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量的測定值是否為預定值以上，在判定為在所述第一電荷蓄積部蓄積的電荷量的測定值為所述預定值以上的情況下，停止所述重復步驟。

4.如權利要求1至3的任意一項所述的寫入方法，其特征在于，

使利用所述第一寫入步驟所蓄積的電荷量與利用所述第二寫入步驟所蓄積的電荷量相等。

5.如權利要求1至3中任意一項所述的寫入方法，其特征在于，

使利用所述第一寫入步驟所蓄積的電荷量比利用所述第二寫入步驟所蓄積的電荷量小。

6.一種半導體存儲裝置，在多個存儲單元內具有主存儲區域和存儲用于對該主存儲區域的主數據進行判定的基準數據的副存儲區域，所述存儲單元在夾著溝道區域設置第一雜質區域以及第二雜質區域的半導體基板上具有柵極電極，并且在所述第一雜質區域與所述柵極電極之間具有第一電荷蓄積部、在所述第二雜質區域與所述柵極電極之間具有第二電荷蓄積部，其特征在于，

在所述副存儲區域的所述第一電荷蓄積部以及所述第二電荷蓄積部分別蓄積電荷。

7.如權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

在所述副存儲區域的所述第一電荷蓄積部和所述第二電荷蓄積部蓄積的電荷量彼此相等。