[發明專利]電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201110446059.X
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN102501387A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 黃劍鵬;張永豪
• 申請（專利權）人: 寧波大東南萬象科技有限公司
• 主分類號: B29C69/02
• 分類號: B29C69/02;B29C55/14;B29C71/00
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228
• 代理人: 李迎春

技術領域

本發明屬于電容膜制備領域，特別是涉及一種厚度為2.8μm?~?3.2μm的電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法。

背景技術

聚丙烯電容薄膜即電容器用雙向拉伸聚丙烯薄膜，雙向拉伸聚丙烯薄膜的簡稱為BOPP，即雙向拉伸聚丙烯薄膜英文名稱“Biaxially?Oriented?Polypropylene”的簡稱。而電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜是主要用于金屬化膜、紙復合介質電容器或全膜介質電容器，代號為MRP。

電容器用雙向拉伸聚丙烯薄膜具有較高的機械性能和電氣性能，與普通型薄膜制得的電容器相比，用聚丙烯薄膜制得的電容器以其熱收縮率低、性能穩定、耐高溫度高等顯著優點，使得聚丙烯薄膜制得的電容器的使用范圍越來越廣。為滿足電氣裝置小型化和元件密集化的發展要求，而由于小型化和元件密集化均存在散熱性差的問題，特別是在交流回路上使用的電容器，不僅要抑制電容器自身的內部發熱，而且要考慮使用的環境溫度，溫度過高（一般為90℃以上）將導致電容器的穩定性急劇下降，甚至造成電容器失效，給電氣整機帶來嚴重的安全隱患，故提高厚度為2.8μm?~?3.2μm的聚丙烯薄膜電容器的在高溫環境下的穩定性，以使得聚丙烯薄膜制得的電容器在較高溫度下能穩定工作是目前重要的攻關項目。故現有技術的電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法生產出來的聚丙烯電容薄膜的存在高溫下熱收縮率較高和性能穩定性差，即高溫穩定性差的問題。

發明內容

本發明的目的是為解決以上技術問題是，提供一種制備的聚丙烯電容薄膜在高溫下熱收縮率低和性能穩定，即高溫穩定性較好的電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法。

為實現本發明目的，本發明所用的技術方案是：提供一種電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法，它包括以下步驟：

1）原料的選取與準備：需用等規度≥99%，灰分小于20ppm的聚丙烯原料；并在35~45℃，濕度為30%~40%的環境中干燥至少10小時；

2）擠出機擠出鑄片：將步驟1）處理后的聚丙烯原料投入擠出機擠出成片狀熔體，擠出機的溫度為230~260℃；

3）激冷輥及風淋冷卻：將步驟2）中制得的片狀熔體通過激冷輥及風淋冷卻定型得到厚片，激冷輥的溫度為95~110℃；

4）縱向拉伸：將步驟3）制得的厚片依次進行縱向預熱、拉伸和定型，預熱溫度為100~140℃，拉伸溫度為130~157℃，拉伸倍率為5.0~5.5，定型溫度為140~152℃；

5）橫向拉伸：將步驟4）制得的厚膜依次進行橫向預熱、拉伸和定型，預熱溫度為160~172℃，拉伸溫度為155~165℃，拉伸倍率為8.0~10，定型溫度為169~173℃；

6）測厚、切邊及電暈處理：薄膜的厚度為2.8~3.2μm，對薄膜的氣刀面進行電暈處理，電暈時電極的轟擊強度為8W·Min/m²；

7）收卷；

8）第一次時效處理：將收卷后的薄膜在無塵等級為1萬級或1萬級以下、溫度為30~40℃的環境中時效處理，時間為≥72小時；

9）分切：根據需求將第一次時效處理后的薄膜分切成一定寬度的小卷薄膜；

10）第二次時效處理：將分切后的小卷薄膜在無塵等級為1萬級或1萬級以下、溫度為30~40℃的環境中時效處理，時間為≥12小時。

所述的步驟1）中環境的濕度為30%~40%。

所述的步驟6）中電暈處理時，薄膜濕潤張力≥42mN/m。

與現有技術相比，本發明通過上述步驟制備的聚丙烯電容薄膜，可使制得的聚丙烯電容薄膜結晶的晶型中β晶型占較大部分，而β晶型相對其他晶型球晶尺寸大幅度減小，具有晶粒細化的功能，則聚丙烯電容薄膜具有良好的韌性和較高的熱變形溫度，良好的韌性的特性使得聚丙烯電容薄膜在雙向拉伸過程中不易出現斷膜的情況，同時也可將聚丙烯電容薄膜拉伸到厚度在2.8~3.2μm；而較高的熱變形溫度的特性使得制得的聚丙烯電容薄膜在高溫下熱收縮率較低和各相性能較穩定，從而保證制得的聚丙烯電容薄膜在電暈處理時和后續的蒸度金屬層時，不易出現收縮或被擊穿的情況，最終使得制成的電容器的體積較小，還具有較好的高溫穩定性。因此本發明制備的聚丙烯電容薄膜具有在高溫下熱收縮率低和性能穩定，即高溫穩定性較好的特點。

具體實施方式

下面結合具體實施實例說明，但本發明不限于以下具體實施實例。

實施例1

一種電暈處理聚丙烯粗化電容薄膜的制備方法，它包括以下步驟：